[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种CIS太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在所述第一温度以上的条件下将CIS层成膜于所述第一电极层上，并在所述CIS层上形成第二电极层而成的；

使所述层状构件的温度成为比所述第一温度低的第二温度的工序；

在所述第二电极层上形成层形成物质层的工序，其中，形成所述层形成物质层的层形成物质在固体状态下的线膨胀系数比所述基板大；和

将所述层状构件冷却的工序，

随着由所述层状构件的冷却实现的所述层形成物质层的收缩，使所述CIS层从所述第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述层形成物质层的工序包括：

将所述层形成物质以液体状态层状地涂布在所述第二电极层上的工序；和

使所述液体状态的层形成物质固体化的工序。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在将所述层状构件冷却的工序之前或之后，在所述层状构件中垂直于层方向地形成缺口，以得到期望尺寸的薄膜状CIS太阳能电池的工序。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在将所述层状构件冷却的工序之前或之后，在所述层状构件中垂直于层方向地形成缺口，以得到期望尺寸的薄膜状CIS太阳能电池的工序。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在从所述第一电极层剥离了的所述薄膜状CIS太阳能电池的所述CIS层的表面涂布第三电极层的工序。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在从所述第一电极层剥离了的所述薄膜状CIS太阳能电池的所述CIS层的表面涂布第三电极层的工序。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在从所述第一电极层剥离了的所述薄膜状CIS太阳能电池的所述CIS层的表面涂布第三电极层的工序。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

在从所述第一电极层剥离了的所述薄膜状CIS太阳能电池的所述CIS层的表面涂布第三电极层的工序。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第三电极层由碳糊形成。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第三电极层由碳糊形成。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第三电极层由碳糊形成。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述第三电极层由碳糊形成。

13.根据权利要求1～12的任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一温度为450℃。

14.根据权利要求1～12的任一项所述的方法，其特征在于，

所述基板是玻璃。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述基板是玻璃。

16.根据权利要求1～12的任一项所述的方法，其特征在于，

所述层形成物质是树脂材料。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述层形成物质是树脂材料。