[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层，位于有源图案上。有源图案包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置。另外，第二栅电极位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置。有源保护图案与第二栅电极位于同一层中，并且穿过第二绝缘层以接触PMOS区域。第三绝缘层位于有源保护图案和第二栅电极上。数据金属电极穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置以及一种用于制造显示装置的方法。

背景技术

已经开发了各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。这些显示器的像素包括薄膜晶体管。用于这些薄膜晶体管的沟道的材料包括非晶硅、多晶硅(polycrystalline silicon，polysilicon)或氧化物半导体。多晶硅具有相对高的载流子迁移率，并且用于基于载流子电荷或掺杂剂形成PMOS晶体管或NMOS晶体管。一直试图通过增加布线的集成度并减小薄膜晶体管的尺寸来增加屏幕分辨率。此外，已经提出互补金属氧化物(CMOS)技术的使用。

发明内容

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：第一栅电极；第一绝缘层，位于第一栅电极上；有源图案，位于第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，PMOS区域与第一栅电极叠置；第二绝缘层位于有源图案上；第二栅电极，位于第二绝缘层上并与NMOS区域叠置；有源保护图案，与第二栅电极位于同一层中，并穿过第二绝缘层并接触PMOS区域；第三绝缘层，位于有源保护图案和第二栅电极上；数据金属电极，穿过第三绝缘层并接触有源保护图案。PMOS区域可以包括p沟道区域、第一p掺杂区域和与第一p掺杂区域间隔开的第二p掺杂区域，有源保护图案可以包括与第一p掺杂区域接触的第一有源保护图案以及与第二p掺杂区域接触的第二有源保护图案。

显示装置可以包括沟道保护图案，沟道保护图案位于第一有源保护图案和第二有源保护图案之间，并且与p沟道区域叠置。显示装置可以包括：漏电极，连接到PMOS区域或NMOS区域；有机发光二极管，电连接到漏电极。显示装置可以包括：下电容器电极，与第一栅电极位于同一层中；上电容器电极，与下电容器电极叠置，并且与第二栅电极位于同一层中。

下电容器电极可以电连接到漏电极，上电容器电极可以电连接到第二栅电极。下电容器电极可以电连接到第一栅电极，上电容器电极可以电连接到漏电极。第三绝缘层的厚度可以大于第一绝缘层和第二绝缘层的总厚度。

有源保护图案可以包括具有比数据金属电极的逸出功高的逸出功的材料。有源保护图案可以包括银、镍、钨、铜、铬和钼中的至少一种。数据金属电极可以包括镁、钽、钛和铝中的至少一种。

根据一个或更多个其它实施例，用于制造显示装置的方法包括：形成包括第一栅电极的下栅极金属图案；在下栅极金属图案上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体图案，半导体图案包括第一有源区域和与第一有源区域间隔开的第二有源区域，第一有源区域与第一栅电极叠置；在半导体图案上形成第二绝缘层；通过掺杂第一有源区域形成PMOS区域；通过掺杂第二有源区域形成NMOS区域；在第二绝缘层上形成上栅极金属图案，上栅极金属图案包括第二栅电极和与PMOS区域接触的有源保护图案，第二栅电极与NMOS区域叠置；在第二栅电极和有源保护图案上形成第三绝缘层；形成数据金属图案，数据金属图案包括数据金属电极，数据金属电极穿过第三绝缘层以接触有源保护图案。

形成PMOS区域的步骤可以包括：在第二绝缘层上形成第一光致抗蚀剂层；通过利用第一光致抗蚀剂层作为掩模来对第二绝缘层进行蚀刻，以部分地暴露第一有源区域；向第一有源区域的暴露部分提供p型杂质。

形成NMOS区域的步骤可以包括：在第二绝缘层上形成上栅极金属层；在上栅极金属层上形成第二光致抗蚀剂层；通过利用第二光致抗蚀剂层作为掩模来对上栅极金属层进行蚀刻，以部分地暴露第二绝缘层；穿过第二绝缘层向第二有源区域的一部分提供n型杂质。