[发明专利]一种等离子体约束组件及其所在的处理装置

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束组件，所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置一用于支撑基片的静电夹盘，其特征在于，

所述等离子体约束组件位于所述静电夹盘和所述反应腔的侧壁之间，所述反应腔的侧壁上设有传片门，所述等离子体约束组件能沿着反应腔的侧壁方向上下移动；

所述等离子体约束组件包括等离子体约束环与接地环，所述接地环设有接地屏蔽环，所述接地屏蔽环位于所述等离子体约束环与所述反应腔的侧壁之间，使所述等离子体约束环被屏蔽在所述接地环中，以保护所述等离子体约束环与所述反应腔的侧壁之间的电场不受传片门的影响；

所述接地环还包括位于等离子体约束环下方的水平接地环和位于所述静电夹盘与所述等离子体约束环之间的竖直接地环。

2.如权利要求1所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述竖直接地环与所述静电夹盘外围设置的边缘环连接，所述接地屏蔽环与所述水平接地环分别接地；

所述竖直接地环、所述水平接地环和所述接地屏蔽环为一体设置。

3.如权利要求1或2所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述接地环为U型结构。

4.如权利要求2所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述等离子体约束环位于所述竖直接地环和所述接地屏蔽环之间，且所述等离子体约束环位于所述水平接地环上方，以使所述接地环包围所述等离子体约束环的三面。

5.如权利要求1所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述接地屏蔽环的上表面所在的水平方向的位置高于或等于所述等离子体约束环的上表面所在的水平面。

6.如权利要求1所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述传片门为所述反应腔一侧侧壁上的开口，用于将晶圆在反应腔内外之间传输。

7.如权利要求1所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述反应腔的侧壁和所述接地屏蔽环之间设有内衬，所述内衬上设置与所述传片门相匹配的开口。

8.如权利要求1所述的等离子体约束组件，其特征在于，

所述等离子体约束环和所述反应腔的侧壁之间的电场，与所述接地屏蔽环和所述等离子体约束环之间的间距相匹配。

9.一种等离子体处理装置，包括一反应腔；所述反应腔内的下部设置一静电夹盘用于承载基片并设置下极板，所述反应腔内的上部包含一上极板，其特征在于，

所述静电夹盘与反应腔的侧壁之间设有如权利要求1-8任意一项所述的等离子体约束组件；

所述静电夹盘和其外围设置的边缘环能上下移动以调整等离子体处理装置的上下极板间距，带动所述等离子体约束组件沿着反应腔的侧壁方向上下移动；

所述等离子体约束组件包括等离子体约束环与接地环，所述接地环设有接地屏蔽环，所述接地屏蔽环位于所述等离子体约束环与所述反应腔的侧壁之间，所述等离子体约束环被屏蔽在所述接地环中，以保护所述等离子体约束环与所述反应腔的侧壁之间的电场不受传片门的影响。

10.一种基于如权利要求1-8任意一项所述的等离子体约束组件的等离子体处理装置的电容控制方法，其特征在于，该方法包含以下过程：

提供接地环，所述接地环被配置为设有接地屏蔽环的U型结构；

提供等离子体约束环，使其与所述接地环结合以配置成等离子体约束组件；所述等离子体约束组件与所述反应腔内的静电夹盘外围设置的边缘环连接；所述接地环包围所述等离子体约束环的三面，以使所述等离子体约束环被屏蔽在所述接地环之中；

射频系统在反应腔内产生将反应气体解离为等离子体的电场，所述等离子体约束组件在等离子体刻蚀过程中约束反应腔内的等离子体和射频系统，并调节反应腔内的气流；

所述静电夹盘和其外围设置的边缘环移动以调整等离子体处理装置的上下极板间距时，等离子体约束组件沿着反应腔的侧壁方向上下移动，所述等离子体约束环被屏蔽，使得其与所述反应腔的侧壁之间的电场不受传片门的影响，等离子体约束环的对地电容基本保持不变。