[发明专利]制造半导体器件的方法和清洗衬底的方法有效

申请号：	201810613449.3	申请日：	2018-06-14
公开（公告）号：	CN109817513B	公开（公告）日：	2021-06-01
发明（设计）人：	李中杰	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	制造半导体器件方法清洗衬底
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【说明书】：

在清洗衬底的方法中，将包括尺寸改性材料的溶液施加在衬底上，其中衬底上设置有要去除的颗粒。由颗粒和尺寸改性材料生成具有比颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒。从衬底去除尺寸改性颗粒。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及制造半导体器件和/或平板显示器的方法，更具体地，涉及清洗晶圆和/衬底的方法。

背景技术

在半导体器件和/或平板显示器的制造期间，诸如蚀刻、沉积和/或抛光的各种工艺在半导体晶圆、玻璃衬底或其他衬底上引起颗粒和缺陷。虽然实施各种清洗操作以减少缺陷和/或颗粒，但是通常难以消除纳米级颗粒。

发明内容

本发明的实施例提供了一种清洗衬底的方法，包括：将包括尺寸改性材料的溶液施加在衬底上，其中，所述衬底上设置有要去除的颗粒；由所述要去除的颗粒和所述尺寸改性材料生成具有比所述要去除的颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒；以及从所述衬底去除所述尺寸改性颗粒。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：对设置在半导体晶圆上的一个或多个层实施等离子体处理；在所述半导体晶圆上方施加包括尺寸改性材料的溶液，其中，由所述等离子体处理引起的颗粒设置在所述半导体晶圆上；从由所述等离子体处理引起的颗粒和所述尺寸改性材料生成具有比由所述等离子体处理引起的颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒；以及从所述半导体晶圆去除所述尺寸改性颗粒。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：对设置在半导体晶圆上的一个或多个层实施化学机械抛光(CMP)处理；在所述半导体晶圆上方施加包括尺寸改性材料的溶液，其中由所述化学机械抛光处理引起的颗粒设置在所述半导体晶圆上；从由所述化学机械抛光处理引起的颗粒和所述尺寸改性材料生成具有比由所述化学机械抛光处理引起的颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒；以及从所述半导体晶圆去除所述尺寸改性颗粒。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的清洗衬底的方法的流程图。

图2A、图2B和图2C示出了根据本发明的实施例的清洗衬底的方法。

图3A、图3B和图3C示出了根据本发明的实施例的清洗衬底的方法。

图4A示出了与本发明的实施例相关的衬底上的颗粒的示意图。图4B示出了根据本发明的实施例的以表面改性剂尺寸改性的颗粒的示意图。图4C示出了根据本发明的实施例的以聚合物尺寸改性的颗粒的示意图。图4D示出了根据本发明的实施例尺寸改性的颗粒的示意图。

图5A示出了与本发明的实施例相关的硅烷偶联剂的示意图。图5B示出了与本发明的实施例相关的颗粒的表面结构的示意图。图5C示出了与本发明的实施例相关的在硅烷偶联剂反应之后的表面结构的示意图。

图6A示出了聚丙烯酸的化学结构，图6B示出了纤维素的化学结构，以及图6C示出了聚合物表面活性剂的化学结构。

图7A示出了根据本发明的实施例的原始颗粒的颗粒尺寸(直径)和颗粒去除效率之间的关系。图7B和图7C示出了与本发明的实施例相关的颗粒尺寸与清洗液的剪切速度之间的关系。

图8是示出根据本发明的另一实施例的清洗衬底的方法的流程图。

图9是示出根据本发明的另一实施例的清洗衬底的方法的流程图。

图10是示出根据本发明的另一实施例的清洗衬底的方法的流程图。

图11是示出根据本发明的另一实施例的清洗衬底的方法的流程图。