[发明专利]一种Buck开关电源中高边NMOS管电流采样的方法和电路在审
申请号: | 201810611640.4 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108880193A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 夏勤;李栋 | 申请(专利权)人: | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率开关电路 高边 镜像电路 运放电路 电感 开关电源 滤波电路 输入端 放电 电流采样电路 反馈采样电路 采样电路 电流采样 电流通过 功率管 漏电压 源电压 栅电压 采样 相等 充电 电路 | ||
本公开揭示了一种Buck开关电源中高边NMOS管电流采样电路,其特征在于,包括功率开关电路、镜像电路、运放电路、反馈采样电路、滤波电路,功率开关电路中高边NMOS管的电流通过镜像电路按比例进行采样,功率开关电路中高边NMOS与镜像电路之间连接运放电路,运放电路用于实现功率开关电路中高边NMOS管功率开关电路与镜像电路中的镜像功率管的栅电压、源电压、漏电压相等,在功率开关电路给滤波电路中的电感充电时,运放电路的两个输入端有电流,在电感放电时,运放电路的两个输入端皆无电流,实现降低采样电路的损耗。
技术领域
本公开涉及开关电源,特别涉及一种Buck开关电源中高边NMOS管电流采样的方法和电路。
背景技术
在开关电源特别是高速开关电源中,其输出端电路通常采用高边和低边两个NMOS功率管连接的方式,高边NMOS功率管导通时给外接电感充电,低边NMOS功率管导通时外接电感放电,通过采样高边NMOS功率管上的电流来获得输出电感电流信息,因输出电流Ih较大,一般采用高边NMOS功率管的镜像电路来进行检测,为了保证镜像检测的精度,高边NMOS功率管与镜像电路中的采样NMOS采用栅电压、源电压、漏电压相同的连接方式,在高边NMOS功率管的漏极与采样NMOS功率管的漏极分别连接运放电路的两个输入端,运放电路采用反馈连接,使运放电路的两个输入端电压相等。
在此连接方式下,现有技术中运放电路的两个输入端同时都与电源端连接,这样,无论高边NMOS功率管导通或关断,运放电路的两个输入端都有电流流入,从而增加了运放电路的电源损耗。
具体地,现有技术通常采用如图1的电路进行电流采样。
其中,Mn1为输出高边功率管,Mn2为输出低边功管,Mn3为采样功率管,Mn4为反馈管。Sn1、Sp2、Sp3为开关管(其中,Mn1、Mn2、Mn3、Sn1都是高压NMOS管,Sp2、Sp3是高压PMOS管)。
由图1可以看出,在Vgh为低电平时,通过功率管Sp2对运放电路100的B输入端提供电流,功率管Mn3对运放电路100的D输入端提供电流;在Vgh为高电平(此高电平值大于Vin值)时,开关管Sn1、Sp3导通,开关Sp2关断,运放电路100与反馈管Mn4形成负反馈,使得D输入端电压等于B输入端电压,Mn3按比例镜像Mn1管电流。
当Vgh为低电平时,电阻R让Mn3一直处于导通状态,为运放电路100的D输入端提供电流,开关Sp2导通,为运放电路100的B输入端提供电流,因此,在Vgh为低电平时,运放100电路一直存在功耗。
但这种电路结构方式,一方面,在Vgh为低电平时运放电路100是有电流消耗的,这就增加了电源损耗;另一方面,在Vgh为高电平时,功率管Mn1、开关管Sn1导通,开关管Sp3打开,Mn3与功率管Mn1栅电压相同,由于开关管Sn1的存在,使得采样管Mn3漏极与高边功率管Mn1漏极电压存在误差,准确度较低。基于以上原因,对现有技术中采样电流电路进行修改是目前需要解决的问题。
发明内容
为了解决降低开关电源采样电路的损耗问题,本发明提出了一种Buck开关电源中高边NMOS管电流采样电路,在采样电路进行电流采样的间隙,关断采样电路中的运放电路,从而降低采样电路的能耗。
为了解决以上的技术问题,本申请采用如下技术方案:
一种Buck开关电源中高边NMOS管电流采样方法,包括功率开关电路、镜像电路、运放电路、反馈采样电路、滤波电路,功率开关电路中高边NMOS管的电流通过镜像电路按比例进行采样,功率开关电路中高边NMOS管与镜像电路之间连接运放电路,运放电路用于实现功率开关电路中高边NMOS管与镜像电路中的镜像功率管的栅电压、源电压、漏电压相等,在功率开关电路给滤波电路中的电感充电时,运放电路的两个输入端有电流,在电感放电时,运放电路的两个输入端皆无电流,实现降低采样电路的损耗。
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