[发明专利]可检测气体泄漏的密闭腔体

说明书

本发明技术方案公开了一种可检测气体泄漏的密闭腔体，包括：上腔体，在上表面设有进气口和排气口；下腔体，所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置，形成一个密闭空间；密封圈，设置于所述上腔体与所述下腔体之间；第一沟槽，呈环形，位于所述上腔体下表面边缘，且位于所述密封圈的外侧；第二沟槽，呈环形，位于所述下腔体上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽和所述第二沟槽相对设置构成一个环形的闭合隔离结构。采用上述的密闭腔体，通过在密封圈外侧设置闭合隔离结构，形成净化气体屏障，可以及时检测出工艺气体的泄漏。

技术领域

本发明涉及半导体衬底的制造领域，尤其涉及可检测气体泄漏的密闭腔体。

背景技术

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图案转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图案的精确度下降，而且在湿法腐蚀时容易发生侧向腐蚀。

增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石等材料的表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它可以将衬底表面由亲水变为疏水，其疏水基可以很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

目前，涂布HMDS的方法主要采用高温气化涂布，首先向装有HMDS的容器内通入氮气，HMDS的挥发气体随着氮气进入到真空的放置有半导体衬底的密闭的腔体内，沉积在晶片表面。这种方法可以节省HMDS的用量、提高产量及节约成本。但是，由于HMDS具有人体毒性、腐蚀性及易燃易爆性，因此在涂布工艺中保障腔体的密封性的同时，及时检测出HMDS的泄漏非常重要。

发明内容

本发明技术方案要解决的技术问题是在涂布工艺中保障腔体的密封性的同时，及时检测出HMDS的泄漏。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种可检测气体泄漏的密闭腔体，包括：上腔体，在上表面设有进气口和排气口；下腔体，所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置，形成一个密闭空间；密封圈，设置于所述上腔体与所述下腔体之间；所述可检测气体泄露的密闭腔体还包括：第一沟槽，呈环形，位于所述上腔体下表面边缘，且位于所述密封圈的外侧；第二沟槽，呈环形，位于所述下腔体上表面边缘，且位于所述密封圈的外侧，所述第一沟槽和所述第二沟槽相对设置构成一个环形的闭合隔离结构。

可选的，所述上腔体的下表面中间区域呈现凹陷，所述下腔体的上表面的中间区域呈现凹陷，使所述下腔体的上表面与所述上腔体下表面贴合设置后形成密闭空间。

可选的，所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，还包括：净化气体出口，位于所述上腔体，且与所述第一沟槽连通；净化气体入口，位于所述下腔体，且与所述第二沟槽连通。

可选的，所述的可检测气体泄漏的密闭腔体，还包括：第一气体通路，所述第一气体通路位于所述第一沟槽上侧的所述上腔体内部，且连通所述第一沟槽与所述净化气体出口；第二气体通路，所述第二气体通路位于所述第二沟槽下侧的所述下腔体内部，且连通所述第二沟槽与所述净化气体入口。

可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路的截面呈圆形或狭长的圆弧形，沿圆周分布。

可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路尺寸小于所述第一沟槽或所述第二沟槽的环宽。

可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路的个数为2个以上。

可选的，所述第一气体通路和所述第二气体通路分别为一个呈环形的槽。

可选的，所述第一气体通路的环宽小于所述第一沟槽的环宽，所述第二气体通路的环宽小于所述第二沟槽的环宽。