[发明专利]一种光伏芯片回收方法

说明书

本发明公开了一种光伏芯片回收方法，用以快速、高效地回收光伏芯片金属镀层中的金属。该光伏芯片回收方法包括：将光伏芯片置于浸出液中浸泡预设时长，所述光伏芯片包括基板和所述基板表面的金属镀层，所述浸出液包括按预设质量比混合的第一酸液和第二酸液，所述浸出液使所述金属镀层中的金属形成金属盐溶解，并使所述基板钝化；将光伏芯片取出，从使用后的浸出液中得到金属盐；从所述金属盐中得到所述金属镀层中的金属。

技术领域

本发明涉及光伏芯片技术领域，特别涉及一种光伏芯片回收方法。

背景技术

铜铟镓硒薄膜太阳能电池由于理论效率高、材料消耗少、制备能耗低等被称为第二代太阳能电池技术。因为铟和镓都属于稀散金属，储量和产量都有限且价值较高，需要将生产过程中的不良及报废的铜铟镓硒光伏芯片中的有价金属进行回收，以方便进一步地循环利用，以保证铜铟镓硒薄膜太阳能电池材料的可持续发展。铜铟镓硒光伏芯片一般采用铁材质基板(包括但不限于不锈钢基板)，通过溅射法或共蒸法将铜铟镓硒及其他金属镀层镀到铁材质基板上，各镀层和铁材质基板结合紧密。

溶解法将铁材质基板和铜铟镓硒镀层同时溶解进氧化性酸液中，溶液中铁的含量远大于铜铟镓硒的含量，无法有效回收铜铟镓硒等金属。碱溶法通过碱溶解铜铟镓硒层与基板的连接钼层，溶解钼层速度较慢，基本无法在常规生产中使用。冷冻法采用深冷的方法将基板和铜铟镓硒镀层的分离，冷冻法处理过程要求温度较低，工艺条件要求高，深冷后剥离较为困难。

发明内容

本发明提供一种光伏芯片回收方法，用以快速、高效地回收光伏芯片金属镀层中的金属。

本发明提供一种光伏芯片回收方法，包括：

将光伏芯片置于浸出液中浸泡预设时长，所述光伏芯片包括基板和所述基板表面的金属镀层，所述浸出液包括按预设质量比混合的第一酸液和第二酸液，所述浸出液使所述金属镀层中的金属形成金属盐溶解，并使所述基板钝化；

将光伏芯片取出，从使用后的浸出液中得到金属盐；

从所述金属盐中得到所述金属镀层中的金属。

可选的，当所述金属镀层包括铜铟镓硒镀层，所述基板包括铁材质基板时，所述第一酸液包括浓硝酸，所述第二酸液包括浓硫酸。

可选的，所述第一酸液和第二酸液的预设质量比包括：5％：95％至10％：90％。

可选的，所述方法还包括：将光伏芯片置于浸出液中浸泡时，当所述金属镀层停止溶解时，增加所述第一酸液以使所述金属镀层继续溶解。

可选的，所述从使用后的浸出液中得到金属盐，包括：

使用膜法酸回收技术从使用后的浸出液中得到金属盐；或者，

对使用后的浸出液进行硫酸化焙烧得到金属盐。

可选的，所述方法还包括：

将光伏芯片置于浸出液中浸泡时，将产生的气体进行尾气吸收。

可选的，所述方法还包括：

将取出的光伏芯片进行清洗，使光伏芯片的基板上残留的金属盐溶解；

从清洗后的溶液中得到所述金属镀层中的金属。

可选的，所述预设时长包括：1至10分钟。

可选的，所述从所述金属盐中得到所述金属镀层中的金属，包括：

使用以下一种或多种方式的组合从所述金属盐中得到所述金属镀层中的金属：中和沉淀法、置换法、萃取法、还原法、离子交换法和电解法。