[发明专利]提高抗污膜的附着力的方法

说明书

一种提高抗污膜的附着力的方法。在此方法中，提供基板。形成改质镀膜于基板的表面上，其中形成改质镀膜时包含使用前驱物，此前驱物包含硅碳氧分子。涂布抗污分子于改质镀膜上。进行烘烤制程。由于氢氧(‑OH)官能基可顺利形成在使用含硅碳氧分子的前驱物所形成的改质镀膜表面上，而抗污分子可与这些氢氧官能基产生键结，借此可提高抗污膜的附着力。

技术领域

本发明是有关于一种抗污膜的制作技术，且特别是有关于一种提高抗污膜的附着力的方法。

背景技术

随着可携式电子装置的蓬勃发展，抗污处理已成为制程中不可或缺的步骤之一。抗污处理有许多用途，例如抗污处理可提供可携式电子装置的触控面板抗污与耐摩擦的功效，借此达到保持可携式电子装置的外观与延长可携式电子装置的使用寿命的目标。

在抗污处理上，目前较为常见的一种是针对玻璃基板的抗污处理。此种抗污处理是先清洗玻璃基板，再对玻璃基板进行电浆处理，借以在玻璃基板的表面上形成氢氧(-OH)官能基。接着，在玻璃基板的表面上涂布含氟硅氧烷。随后进行烘烤处理，以使含氟硅氧烷与玻璃基板的表面上的氢氧官能基形成键结，而在玻璃基板的表面上形成单分子抗污涂层，进而完成玻璃基板的表面的抗污处理。此单分子抗污涂层几乎不影响玻璃基板原来的光学特性。虽然此种方式所得的抗污涂层有不影响基材外观的优点，但目前却只能应用在玻璃上，应用在其他材质的基板时的效果不佳。

另外一种抗污处理方法则是以高分子混合含氟分子来做成透明高分子涂料，再将此透明高分子涂料涂布在玻璃或其他基板上，而在基板上形成抗污膜，借此使基板具有抗污功效。然而，此种方法所形成的抗污膜的厚度较厚，通常有几百纳米甚至微米(μm)等级，会严重影响基板的光泽度与质感。

发明内容

因此，本发明的一目的就是在提供一种提高抗污膜的附着力的方法，其可在非玻璃基板、或其欲镀膜表面不具有氧化硅(SiO_x)层的基板上形成以氧化硅(SiO_x)为主的改质镀膜。借此，可使氢氧(-OH)官能基顺利形成在改质镀膜的表面上。抗污分子可与改质镀膜的表面上的氢氧官能基产生键结，而可形成稳固附着于改质镀膜上的抗污膜，借此可达到提高抗污膜对基板的附着力的效果。

本发明的另一目的是在提供一种提高抗污膜的附着力的方法，其可利用大气电浆制程来沉积改质镀膜，因此相较于真空镀膜制程，本方法可大幅降低制程成本。

本发明的又一目的是在提供一种提高抗污膜的附着力的方法，其可应用于结构复杂的基板，且可适用于各种材质的基板的镀膜上，具有极广泛的应用性。

根据本发明的上述目的，提出一种提高抗污膜的附着力的方法。在此方法中，提供基板。形成改质镀膜于基板的表面上，其中形成改质镀膜时包含使用前驱物，此前驱物包含硅碳氧分子。涂布抗污分子于改质镀膜上。进行烘烤制程。

依据本发明的一实施例，上述的基板为一非玻璃基板、或一镀膜表面不具氧化硅(SiO_x)层的一基板。

依据本发明的一实施例，上述形成改质镀膜时包含利用大气电浆沉积制程，且前驱物包含气体或液体。

依据本发明的一实施例，上述的改质镀膜包含氧化硅(SiO_x)。

依据本发明的一实施例，上述的改质镀膜包含二氧化硅、氧化硅、及/或碳氧化硅。

依据本发明的一实施例，上述形成改质镀膜时包含形成多个氢氧官能基于改质镀膜的表面上。

依据本发明的一实施例，上述进行烘烤制程时包含将烘烤温度控制在约50℃至约200℃。

依据本发明的一实施例，于形成改质镀膜前，上述的提高抗污膜的附着力的方法还包含对基板的表面进行大气电浆清洁处理。