[发明专利]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201810608976.5 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN108766993B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 李蒙;李永谦;袁粲;袁志东;蔡振飞;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板和显示装置。该显示基板包括:衬底基板和位于衬底基板之上的重复排列的像素单元,像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,第一子像素包括第一驱动单元和与第一驱动单元连接的第一发光器件,第二子像素包括第二驱动单元和与第二驱动单元连接的第二发光器件,第三子像素包括第三驱动单元和与第三驱动单元连接的第三发光器件,第四子像素包括第四驱动单元和与第四驱动单元连接的第四发光器件;第一驱动单元和第三驱动单元连接至第一栅线,第二驱动单元和第四驱动单元连接至第二栅线;第一驱动单元和第二驱动单元连接至第一数据线,第三驱动单元和第四驱动单元连接至第二数据线。
技术领域
本发明涉及通信技术领域,特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,作为下一代显示技术的有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,简称AMOLED)显示装置的应用也越来越广泛。
目前,在AMOLED显示领域中,由于像素排布空间有限而难以实现8K高分辨率显示装置,且制造8K高分辨率显示装置的工艺难度较大。
发明内容
本发明提供一种显示基板和显示装置,用于在有限的排布空间内实现高分辨率显示,且降低制造高分辨率显示装置的工艺难度。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板之上的重复排列的像素单元,所述像素单元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,所述第一子像素包括第一驱动单元和与所述第一驱动单元连接的第一发光器件,所述第二子像素包括第二驱动单元和与所述第二驱动单元连接的第二发光器件,所述第三子像素包括第三驱动单元和与所述第三驱动单元连接的第三发光器件,所述第四子像素包括第四驱动单元和与所述第四驱动单元连接的第四发光器件;
所述第一驱动单元和所述第三驱动单元连接至第一栅线,所述第二驱动单元和所述第四驱动单元连接至第二栅线;
所述第一驱动单元和所述第二驱动单元连接至第一数据线,所述第三驱动单元和所述第四驱动单元连接至第二数据线。
可选地,所述第一子像素还包括与所述第一驱动模块和所述第一发光器件连接的第一补偿模块,所述第二子像素还包括与所述第二驱动模块和所述第二发光器件连接的第二补偿模块,所述第三子像素还包括与所述第三驱动模块和所述第三发光器件连接的第三补偿模块,所述第四子像素还包括与所述第四驱动模块和所述第四发光器件连接的第四补偿模块;
所述第一补偿模块、所述第二补偿模块、所述第三补偿模块和所述第四补偿模块连接至感测线。
可选地,所述第一驱动单元包括:第一开关管、第二开关管和第一电容;
所述第一开关管的控制极连接至所述第一栅线,所述第一开关管的第一极连接至所述第一数据线,所述第一开关管的第二极连接至第一节点;
所述第二开关管的控制极连接至所述第一节点,所述第二开关管的第一极连接至第一电源,所述第二开关管的第二极连接至第二节点;
所述第一电容的第一端连接至所述第一节点,所述第一电容的第二端连接至所述第二节点;
所述第一发光器件的第一极连接至所述第二节点,所述第一发光器件的第二极连接至第二电源。
可选地,所述第二驱动单元包括:第四开关管、第五开关管和第二电容;
所述第四开关管的控制极连接至所述第二栅线,所述第四开关管的第一极连接至所述第一数据线,所述第四开关管的第二极连接至第三节点;
所述第五开关管的控制极连接至所述第三节点,所述第五开关管的第一极连接至第一电源,所述第五开关管的第二极连接至第四节点;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的