[发明专利]电流传感器有效

专利信息
申请号: 201810608716.8 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN109085404B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 斋藤祐太;高野研一;平林启 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电流传感器
【权利要求书】:

1.一种电流传感器,其中,

包括:

磁阻效应元件,配置在电流线路附近,且被施加信号磁场,并且根据所述信号磁场的变化而产生磁阻变化,所述信号磁场由在所述电流线路中流动的电流感应;

抵消磁场产生单元,设置在所述磁阻效应元件附近并产生抵消所述信号磁场的抵消磁场;

第一软磁性体,设置在所述磁阻效应元件与所述电流线路之间;

一对第二软磁性体,相对于所述磁阻效应元件的磁化检测方向而设置在所述磁阻效应元件的两侧;以及

基板,所述磁阻效应元件、所述抵消磁场产生单元、所述第一软磁性体和所述一对第二软磁性体设置在所述基板的上方,

所述第一软磁性体具有与所述基板平行地延伸且屏蔽所述磁阻效应元件以免受所述电流线路的影响的第一部分、以及在所述磁化检测方向上从所述第一部分的至少一个边缘朝向所述基板延伸的第二部分。

2.根据权利要求1所述的电流传感器,其中,

所述抵消磁场产生单元是卷绕于所述第二软磁性体周围的线圈。

3.根据权利要求1所述的电流传感器,其中,

所述抵消磁场产生单元是卷绕于与所述基板平行的平面上的至少一个线圈,所述抵消磁场产生单元位于所述磁阻效应元件与所述第一软磁性体之间和/或与所述第一软磁性体相对地配置并且所述磁阻效应元件插入于所述抵消磁场产生单元与所述第一软磁性体之间。

4.根据权利要求1所述的电流传感器,其中,

所述抵消磁场产生单元与所述第一软磁性体之间的距离等于或大于0.1μm且等于或小于30μm,并且所述抵消磁场产生单元与所述第二软磁性体之间的距离等于或大于0.1μm且等于或小于10μm。

5.根据权利要求1所述的电流传感器,其中,

所述磁阻效应元件是隧道磁阻效应元件。

6.根据权利要求5所述的电流传感器,其中,

所述隧道磁阻效应元件的所述磁化检测方向上的长度等于或大于0.1μm且等于或小于10μm,并且所述隧道磁阻效应元件的与所述电流线路平行的方向上的长度是所述隧道磁阻效应元件的所述磁化检测方向上的长度的两倍或以上。

7.一种电流传感器,其中,

包括:

磁阻效应元件,配置在电流线路附近且被施加信号磁场,并且根据所述信号磁场的变化而产生磁阻变化,所述信号磁场由在所述电流线路中流动的电流感应;

抵消磁场产生单元,设置在所述磁阻效应元件附近并产生抵消所述信号磁场的抵消磁场;

第一软磁性体,与所述电流线路相对,并且所述磁阻效应元件插入于所述第一软磁性体与所述电流线路之间;

一对第二软磁性体,相对于所述磁阻效应元件的磁化检测方向而设置在所述磁阻效应元件的两侧;以及

基板,所述磁阻效应元件、所述抵消磁场产生单元、所述第一软磁性体和所述一对第二软磁性体设置在所述基板的上方,

所述第一软磁性体具有与所述基板平行地延伸且屏蔽所述磁阻效应元件以免受所述电流线路的影响的第一部分、以及在所述磁化检测方向上从所述第一部分的两侧的边缘朝向所述基板延伸的第二部分。

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