[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

公开了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，所述第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。

本申请要求于2017年6月14日提交的第62/519,435号临时申请的优先权和权益以及于2018年5月16日提交的第10-2018-0056054号韩国专利申请的优先权，所述临时申请和所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及半导体封装件及其制造方法，更具体地，涉及包括再分布层的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

提供半导体封装件以实现电子产品中的集成电路芯片。典型地，半导体封装件被构造为使得半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上，并且结合布线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业取得的进展，正在进行各种研究以改善半导体封装件的可靠性和耐久性。

发明内容

发明构思的示例性实施例提供了具有改善的可靠性和耐久性的半导体封装件以及制造所述半导体封装件的方法。

根据发明构思的示例性实施例，制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。

根据发明构思的示例性实施例，制造半导体封装件的方法包括：准备半导体器件，半导体器件包括芯片焊盘、钝化图案和覆盖图案。钝化图案包括暴露芯片焊盘的一部分的开口，其中，覆盖图案位于开口中并覆盖芯片焊盘。所述方法还包括：将半导体器件设置在再分布层上；以及通过在覆盖图案与再分布层之间形成连接件来将芯片焊盘电连接到再分布层。

根据发明构思的示例性实施例，半导体封装件包括再分布层和设置在再分布层上的半导体器件。半导体器件包括芯片焊盘和钝化图案。钝化图案包括暴露芯片焊盘的一部分的焊盘开口。半导体封装件还包括设置在焊盘开口中并覆盖芯片焊盘的覆盖图案以及设置在再分布层上并覆盖半导体器件的模制图案。再分布层包括与钝化图案直接接触并延伸到模制图案的底表面上的第一绝缘图案以及设置在第一绝缘图案上并电连接到覆盖图案的再分布图案。

根据发明构思的示例性实施例，半导体封装件包括再分布层和设置在再分布层上的半导体器件。半导体器件包括芯片焊盘和钝化图案。钝化图案包括暴露芯片焊盘的一部分的焊盘开口。半导体封装件还包括设置在焊盘开口中并覆盖芯片焊盘的覆盖图案以及设置在再分布层与覆盖图案之间并结合到覆盖图案的连接件。

根据发明构思的示例性实施例，半导体封装件包括再分布层和设置在再分布层上的半导体器件。半导体器件包括芯片焊盘和钝化图案。钝化图案包括暴露芯片焊盘的一部分的焊盘开口。半导体封装件还包括：覆盖图案，设置在焊盘开口中并覆盖芯片焊盘；第一开口，设置在再分布层中，暴露覆盖图案的一部分；以及再分布图案，设置在第一开口中并接触覆盖图案的暴露的部分。

附图说明

通过参照附图对本发明构思的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1A示出了示出根据发明构思的示例性实施例的半导体器件的剖视图。

图1B示出了示出根据发明构思的示例性实施例的图1A的部分A的放大图。