[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法

权利要求书

1.一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，包括：

步骤S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；

步骤S2：先进过程控制系统对所述前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数；

步骤S3：根据计算出的工艺参数对所述反应腔室进行清洁；

步骤S4：后批次晶圆在所述反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；

步骤S5：比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给所述先进过程控制系统；

步骤S6：根据反馈结果，所述先进过程控制系统判断是否需要修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数；若是，所述先进过程控制系统修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数，并执行步骤S7；若否，则执行步骤S8；

步骤S7：采用修正后的工艺参数对所述反应腔室进行清洁；

步骤S8：沿用步骤S3中的工艺参数对所述反应腔室进行清洁。

2.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，在步骤S6中，当所述后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌的角度比目标形貌的角度大，且大于等于0.5度时，所述先进过程控制系统修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数；当所述后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌的角度比目标形貌的角度小，且小于0.5度时，所述先进过程控制系统无需修正对所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数。

3.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述反应腔室的清洁工艺的工艺参数为工艺时间。

4.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述反应腔室进行清洁时所使用的气体为氧气。

5.如权利要求4所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述氧气的流量为300～500sccm。

6.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述反应腔室的压力为40～70毫托。

7.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述反应腔室的温度为50～75℃。

8.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，在所述清洁工艺所使用的气体的流量，所述反应腔室的压力和温度固定的情况下，所述清洁工艺的工艺时间与所述前批次晶圆的晶粒数量之间满足以下关系式：

y＝14.377x+204.73；

其中，x为前批晶圆的晶粒数量；y为清洁工艺的工艺时间，所述工艺时间单位为：秒。

9.如权利要求1所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述前批次晶圆中的每个晶粒的大小相同。

10.如权利要求9所述的改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，其特征在于，所述后批次晶圆中的每个晶粒的大小与所述前批次晶圆中的每个晶粒的大小相同，且所述后批次晶圆的晶粒数量与所述前批次晶圆的晶粒数量相同。