[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：

单晶硅片；

设置在所述单晶硅片的第一面和第二面上的本征薄膜；

设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述本征薄膜上的掺杂层；

设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述掺杂层上的透明导电氧化物薄膜；以及

设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述透明导电氧化物薄膜上的电极；

其中，所述单晶硅片的第一面和/或第二面的所述掺杂层包括不同掺杂浓度的掺杂区，并且所述不同掺杂浓度的掺杂区均与所述透明导电氧化物薄膜相接触。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述不同掺杂浓度的掺杂区包括A掺杂区和B掺杂区，所述A掺杂区的掺杂浓度小于所述B掺杂区的掺杂浓度，并且所述B掺杂区的位置与所述电极的位置相对应。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于非电极区域，所述B掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于电极区域。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区设置在所述本征薄膜上，所述B掺杂区设置在所述A掺杂区上并且位于电极区域。

5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，在所述异质结太阳能电池的第一面上，所述A掺杂区设置在所述异质结太阳能电池的本征薄膜上并且位于非电极区域，所述B掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于电极区域；和/或在所述异质结太阳能电池的第二面上，所述A掺杂区设置在所述异质结太阳能电池的本征薄膜上，所述B掺杂区设置在所述A掺杂区上并且位于电极区域。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区为n型掺杂区，其掺杂浓度为10⁸～10¹⁷/cm³，所述B掺杂区为n型掺杂区，其掺杂浓度为10¹⁶～10¹⁹/cm³；或者，所述A掺杂区为p型掺杂区，其掺杂浓度为10⁸～10¹⁶/cm³，所述B掺杂区为p型掺杂区，其掺杂浓度为10¹⁵～10²¹/cm³。

7.根据权利要求2-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区的厚度为1～15nm，所述B掺杂区的厚度为1～25nm。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述本征薄膜的厚度为1～20nm。

9.一种制备异质结太阳能电池的方法，所述方法包括：

在单晶硅片的第一面上沉积第一本征薄膜；

在所述第一本征薄膜上沉积A掺杂区和B掺杂区，所述A掺杂区的掺杂浓度小于所述B掺杂区的掺杂浓度，使得在所述第一本征薄膜上形成第一掺杂层；

在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电氧化物薄膜，并使所述A掺杂区和所述B掺杂区均与所述第一透明导电氧化物薄膜相接触；

在所述第一透明导电氧化物薄膜上与所述B掺杂区相对应的位置处设置第一电极；

在单晶硅片的第二面上沉积第二本征薄膜；

在所述第二本征薄膜上沉积第二掺杂层；

在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电氧化物薄膜；

在所述第二透明导电氧化物薄膜上设置第二电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一本征薄膜上沉积A掺杂区和B掺杂区的步骤包括：

先在所述第一本征薄膜的非电极区域沉积所述A掺杂区，再在所述第一本征薄膜的电极区域沉积所述B掺杂区，或者，先在所述第一本征薄膜的电极区域沉积所述B掺杂区，再在所述第一本征薄膜的非电极区域沉积所述A掺杂区；

或者，先在所述第一本征薄膜上沉积所述A掺杂区，再在所述A掺杂区的电极区域沉积所述B掺杂区。