[发明专利]一种半导体硅晶圆研磨处理系统

权利要求书

1.一种半导体硅晶圆研磨处理系统，包括箱体(1)、一号气压缸(2)、上磨盘(3)；其特征在于：还包括研磨模块(4)、控制模块(5)和收集箱(6)；所述一号气压缸(2)固定安装在箱体(1)顶部，一号气压缸(2)底部固定安装有上磨盘(3)，一号气压缸(2)用于控制上磨盘(3)与研磨模块(4)配合对半导体硅晶圆进行研磨；所述研磨模块(4)包括一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)，所述一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)是相同结构；所述一号研磨模块(7)安装在控制模块(5)上；所述二号研磨模块(8)位于一号研磨模块(7)的下方；所述一号研磨模块(7)用于与上磨盘(3)配合对半导体硅晶圆进行研磨；所述控制模块(5)位于箱体(1)的中部，控制模块(5)用于控制一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)的翻转；所述收集箱(6)固定安装在箱体(1)底部，收集箱(6)用于将半导体硅晶圆清理后的灰尘进行收集；其中，

所述控制模块(5)包括第一电机(51)、一号转动板(54)、一号杆(55)、二号杆(56)；所述第一电机(51)固定在箱体(1)侧壁上；所述第一电机(51)转轴固连着一号转动板(54)；所述一号杆(55)贯穿一号转动板(54)并和一号转动板(54)固连，所述一号杆(55)的两端分别滑动安装在箱体(1)侧壁的环形槽(92)内，所述二号杆(56)与一号杆(55)以第一电机(51)的转轴对称设置；

所述一号研磨模块(7)包括下磨盘(71)、一号伸缩杆(72)、二号转动盘(73)和第二电机(74)；一号研磨模块(7)的第二电机(74)固定安装在一号杆(55)上，二号研磨模块(8)的第二电机(74)固定安装在二号杆(56)上；所述第二电机(74)输出轴与二号转动盘(73)固定连接；所述二号转动盘(73)通过一组并联的一号伸缩杆(72)安装在下磨盘(71)上；所述二号转动盘(73)顶部设有固定块，所述固定块通过弹簧固定连接有摆动球(731)；所述二号研磨模块(8)与一号研磨模块(7)对称设置；所述下磨盘(71)底部设有一组为圆心位于同一水平线上且水平布置的圆形槽(9)，一组圆形槽(9)的直径大小向下磨盘(71)外侧依次减小；所述二号转动盘(73)顶部设有和下磨盘(71)的相匹配的圆形槽(9)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆研磨处理系统，其特征在于：所述第一电机(51)固定在箱体(1)一侧的侧壁上，所述第一电机(51)的转轴端头固定连接有一号转动板(54)；所述箱体(1)的另一侧的侧壁上固定安装着第三电机(91)，第三电机(91)的转轴端头固连着一号轮(521)，所述一号轮(521)外侧固定连接有支撑座(522)；所述一号转动板(54)由两个二号转动板(541)和两个三号转动板(542)组成；所述两个二号转动板(541)与第一电机(51)转轴固连且两个二号转动板(541)对称分布；三号转动板(542)插接在二号转动板(541)上；所述一号杆(55)与三号转动板(542)固定连接；所述二号杆(56)与三号转动板(542)固定连接，所述环形槽(92)顶部设有避让一号杆(55)和二号杆(56)的避让槽。

3.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆研磨处理系统，其特征在于：所述下磨盘(71)两侧设有出气管(711)，下磨盘(71)内部设有一号槽(712)；所述一号槽(712)中设有阻挡块(713)，一号槽(712)连通着圆形槽(9)底部，所述圆形槽(9)底部设有弹片(714)，一号槽(712)一侧连接着出气管(711)，摆动球(731)能够挤压弹片(714)并通过出气管(711)喷出气流。

4.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆研磨处理系统，其特征在于：所述二号转动盘(73)中的两个圆形槽(9)之间转动安装有弧形板(732)，所述弧形板(732)由一号板(733)和二号板(734)组成，所述一号板(733)位于一个圆形槽(9)内，二号板(734)位于一号板(733)相邻的圆形槽(9)内，一号板(733)和二号板(734)分别通过弹簧与二号转动盘(73)相连。

5.根据权利要求3所述的一种半导体硅晶圆研磨处理系统，其特征在于：所述出气管(711)中设有软板(715)；所述软板(715)一端设有刷毛，软板(715)的另一端设有球形活塞，所述球形活塞滑动安装在出气管(711)内。