[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用

权利要求书

1.一种多晶硅半熔铸锭用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体和涂覆在坩埚内表面的氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为1mm-2mm；

所述氮化硅层为光滑紧密的表面，所述氮化硅包括α晶相和β晶相，所述α晶相的含量范围为40-70％; 所述氮化硅的粒径为2-3μm；

所述坩埚为购自江苏润弛太阳能材料科技有限公司的G61060型号的石英坩埚；

所述多晶硅半熔铸锭用坩埚的喷涂工艺包括下述步骤：

1）将原料氮化硅和硅溶胶与水混合；

2）将混合后的原料喷涂在石英坩埚的内表面；

所述氮化硅、硅溶胶和水的质量比为1.5-2.5:0.5-1.5:5-7；

所述喷涂的温度为80-100℃，喷涂压力为3.0-3.6 Mpa。

2.一种多晶硅半熔铸锭工艺，其特征在于，所述铸锭工艺中使用的坩埚为权利要求1所述的坩埚；

所述的铸锭工艺包括下述步骤：

1）装料阶段：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；

2）加热、熔化阶段：关闭隔热笼，将铸锭炉抽至真空，加热、熔化硅料，在熔化阶段中后期逐步打开隔热笼至第一开度；

3）长晶阶段：控制隔热笼的上升速度调整坩埚底部的温度控制长晶速度，结晶阶段的隔热笼的上升至少包括顺序调整的第一上升速率、第二上升速率和第三上升速率三个阶段；

4）退火、冷却阶段：对长晶结束的铸锭进行退火、冷却，即制得多晶硅锭；

其中，步骤3）控制隔热笼的第一上升速率为从第一开度上升至第二开度，长晶阶段结束时隔热笼具有第三开度，所述第一开度为2.0-3.9cm，所述第二开度为6-8cm，所述第三开度为17-19cm，所述隔热笼的第一上升速率为0.15-0.25cm/min，第二上升速率为0.003-0.005cm/min，第三上升速率为0.006-0.008cm/min；控制温度为1440℃-1400℃，长晶时间34-37h。

3.根据权利要求2所述的铸锭工艺，其特征在于，所述退火阶段的隔热笼的开度为4-6cm。

4.根据权利要求2所述的铸锭工艺，其特征在于，所述多晶硅铸锭炉为精功集团有限公司的G6型多晶硅铸锭炉。