[发明专利]一种硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法在审

专利信息
申请号: 201810602418.8 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108584875A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 陈学年;刘新冉;陈西孟 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: C01B6/21 分类号: C01B6/21
代理公司: 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 代理人: 路宽
地址: 453007 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 硼氢阴离子 铯盐 碱金属 合成 技术方案要点 四氢呋喃溶液 规模化生产 硼氢化合物 合成技术 搅拌反应 目标产物 无水无氧 金属铯 硼烷
【说明书】:

发明公开了一种硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法,属于硼氢化合物的合成技术领域。本发明的技术方案要点为:一种硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法,在无水无氧的条件下将金属铯块加入到反应容器中,然后加入硼烷的四氢呋喃溶液,于0~50℃搅拌反应制得目标产物硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8。本发明无需使用任何介质来分散碱金属,直接用碱金属铯块进行反应,操作简单,低毒无害,安全可靠,适合规模化生产。

技术领域

本发明属于硼氢化合物的合成技术领域,具体涉及一种硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法。

背景技术

负离子B3H8-具有广泛的用途,由于其较高的含氢量,在储氢领域具有非常大的应用前景,如已合成出的储氢材料LiB3H8、NaB3H8(J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 6718-6726),含有大量的负氢,并且在常见的有机溶剂中有很好的溶解性,因此也能够作为还原剂使用;并且可以作为合成其它含硼化合物的前驱物,如合成半导体材料MgB2的前驱物Mg(B3H8)2(Inorg. Chem. 2007, 46, 9060–9066)。

由于合成方法的限制,M(B3H8)n类硼氢化合物没有得到很好的发展。因此,找到一种操作简单、安全无毒且成本低廉的合成方法非常有必要。目前合成M(B3H8)n类硼氢化合物的方法主要有:

1、利用乙硼烷和碱金属,主要是钠汞齐,反应生成NaB3H8。方法中用到了毒性很大且很不安全的汞、乙硼烷等,汞对人体的危害很大,且操作不便,乙硼烷对空气极其敏感,易燃易爆,且具有剧毒,操作同样非常危险。

2、单质碘在100℃氧化硼氢化钠。此温度下所需的溶剂沸点较高,耗费能源,且合成的B3H8-负离子含有除不掉的溶剂。

3、钠汞齐和硼烷的四氢呋喃溶液(THF·BH3)反应。同样存在上述方法1和2中的缺点。

4、在150℃将碱金属钠分散在硅胶上,然后和硼烷的四氢呋喃反应。在此温度下分散钠,操作很不方便,且有很高的危险性存在。

5、球磨的条件下,将碱金属钠分散在无机盐上,如NaCl、CaCl2等,同样存在上述方法4中的缺点。

鉴于以上合成M(B3H8)n类硼氢化合物的不利因素,有必要设计一种合成过程能够避免使用汞、乙硼烷等毒性高的危险药品,并且操作简单,安全可靠的硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种操作简单、安全可靠且低毒无害的硼氢阴离子铯盐化合物CsB3H8的合成方法。

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