[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括第一存储器区段以及第二存储器区段。第一存储器区段设置在衬底上。第二存储器区段垂直堆叠在第一存储器区段上。第一存储器区段设置在衬底与第二存储器区段之间。第一存储器区段包括闪存单元结构，且第二存储器区段包括可变电阻存储单元结构。闪存单元结构包括：至少一个单元串，包括串联连接到彼此的多个第一存储单元；以及位线，位于衬底上且连接到至少一个单元串。位线在垂直方向上夹置在至少一个单元串与第二存储器区段之间且连接到第二存储器区段。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年6月13日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0074370号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体器件包括存储器器件及逻辑器件。用于存储数据的存储器器件可被分类成易失性存储器器件及非易失性存储器器件。易失性存储器器件(例如，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory，SRAM))在其电源供应中断时会丢失所存储的数据。非易失性存储器器件(例如，可编程只读存储器(programmable ROM，PROM)、可擦可编程只读存储器(erasable PROM，EPROM)、电可擦可编程只读存储器(electrically EPROM，EEPROM)及闪存器件)即使在其电源供应中断时也不会丢失所存储的数据。

为满足半导体器件性能高且功率低的趋势，近来正开发下一代半导体存储器器件(例如，磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)、电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)及相变随机存取存储器(phase changerandom access memory，PRAM))。下一代半导体存储器器件包含具有以下特性的材料：其电阻根据被施加的电流或电压而不同且即使电流或电压供应中断仍会维持所述电阻。

发明内容

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的半导体器件。第一存储器区段设置在衬底上。第二存储器区段垂直堆叠在所述第一存储器区段上。所述第一存储器区段设置在所述衬底与所述第二存储器区段之间。所述第一存储器区段包括闪存单元结构，且所述第二存储器区段包括可变电阻存储单元结构。所述闪存单元结构包括：至少一个单元串，包括串联连接到彼此的多个第一存储单元；以及位线，位于所述衬底上且连接到所述至少一个单元串。所述位线在垂直方向上夹置在所述至少一个单元串与所述第二存储器区段之间且连接到所述第二存储器区段。

根据本发明概念的示例性实施例，提供一种如下的半导体器件。第一存储器区段及第二存储器区段在垂直方向上依序堆叠在衬底的顶表面上。所述第一存储器区段包括：电极结构，包括沿所述垂直方向堆叠在所述衬底的所述顶表面上的栅极电极；沟道结构，穿透所述电极结构；以及位线，位于所述电极结构上且连接到所述沟道结构。所述位线夹置在所述第一存储器区段的所述电极结构与所述第二存储器区段之间。所述第二存储器区段包括连接到所述位线的可变电阻存储单元。

附图说明

通过参照附图详细阐述本发明概念的示例性实施例，本发明概念的这些及其他特征将变得更显而易见，在附图中：

图1示出根据本发明概念示例性实施例的半导体器件内的配置的简化剖视图。

图2至图4示出图1所示第一存储器区段上的存储单元阵列的电路图。

图5示出图1所示第二存储器区段上的存储单元阵列的电路图。

图6示出图1所示第二存储器区段上的单位存储单元的电路图。