[发明专利]一种生产高效多晶籽晶的铺底方法在审

专利信息
申请号: 201810598312.5 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108691011A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 徐云飞;毛伟;鄢俊琦;张泽兴;黄林;雷琦;赖昌权 申请(专利权)人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/08
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 谢德珍
地址: 332000 江西省九*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 单晶籽晶 多晶硅片 碎硅片 纯料 多晶 籽晶 多晶硅片电池 多晶硅锭 石英坩埚 转换效率 电性能 引晶 填充 生产 生长
【权利要求书】:

1.一种生产高效多晶籽晶的铺底方法,其特征在于,该铺底方法是,首先采用单晶籽晶(2)在石英坩埚(1)内进行铺底,每块单晶籽晶(2)之间留2-10cm的缝隙,再用原生纯料(3)或碎硅片填充单晶籽晶(2)之间的缝隙,通过单晶籽晶(2)和原生纯料(3)或碎硅片进行共同引晶生长,可制得高效多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种生产高效多晶籽晶的铺底方法,其特征在于,所述单晶籽晶(2)为正方体、长方体或圆柱体,单晶籽晶(2)的长度或直径大于或等于2cm,最大不超过石英坩埚(1)的内径。

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