[发明专利]一种LED全彩显示阵列结构及制备方法

权利要求书

1.一种LED全彩显示阵列结构，其特征在于，包括通过封装胶叠在一起的LED红光子像素阵列基片、LED绿光子像素阵列基片和LED蓝光子像素阵列基片，所述LED红光子像素阵列基片、所述LED绿光子像素阵列基片和所述LED蓝光子像素阵列基片分别驱动红光、绿光和蓝光全部从基片背面发出并混合成白光形成LED白光显示阵列。

2.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构，其特征在于，所述LED红光子像素阵列基片包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上设有红光LED外延层，所述红光LED外延层上设有若干同面电极的LED红光阵列N×M阵列，每一个阵列为一个LED红光子像素阵列。

3.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构，其特征在于，所述LED绿光子像素阵列基片包括包括透明衬底，所述透明衬底上设有绿光LED外延层，所述绿光LED外延层上设有若干N×M阵列，每一个阵列为一个LED绿光子像素阵列。

4.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构，其特征在于，所述LED蓝光子像素阵列基片包括透明衬底，所述透明衬底上设有蓝光LED外延层，所述蓝光LED外延层上设有若干N×M阵列，每一个阵列为一个LED蓝光子像素阵列。

5.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构，其特征在于，所述透明衬底为蓝宝石透明衬底。

6.一种LED全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在蓝宝石透明衬底上制备LED蓝光子像素阵列基片，蓝宝石透明衬底上生长蓝光LED外延层，在蓝光LED外延层上制备若干N×M阵列，将基片沿阵列切割成若干独立的LED蓝光子像素阵列；

S2：在蓝宝石透明衬底上制备LED绿光子像素阵列基片，蓝宝石透明衬底上生长绿光LED外延层，在绿光LED外延层上制备若干N×M阵列，将基片沿阵列切割成若干独立的LED绿光子像素阵列；

S3：制备LED红光子像素阵列基片，在GaAs衬底上生长红光LED外延层，制备若干同面电极的LED红光阵列N×M阵列，然后将红光阵列与GaAs衬底分离，将红光阵列转移到蓝宝石透明衬底上，将基片割成若干独立的LED红光子像素阵列；

S4：对上述三种颜色的子像素阵列基片，在阵列基片的边缘电极里面涂覆一圈封装胶，将三种基片以蓝、绿、红的顺序依次对准叠放，适当加压后放入烘箱固化封装胶；

S5：对上述基片边缘的电极加入驱动和控制信号，红、绿、蓝三种颜色的光叠加全部从基片背面发出并混合成白光实现全彩显示。

7.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，所述S1和S2中制备若干N×M阵列均采用LED倒装芯片工艺，每行的P电极连接在一起形成阵列的行控制线，每列的N电极连接在一起形成阵列的列数据线。

8.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，所述S3中制备LED红光阵列N×M阵列采用LED倒装芯片工艺，每行的P电极连接在一起形成阵列的行控制线，每列的N电极连接在一起形成阵列的列数据线，然后采用剥离工艺将红光阵列与GaAs衬底分离，将红光阵列转移到蓝宝石透明衬底上。

9.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，所述S4中的封装胶为环氧树脂胶或硅胶。

10.根据权利要求1所述的一种LED全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，所述S5中对基片边缘的电极加入驱动和控制信号，蓝LED蓝光子像素阵列基片的背面作为全彩显示屏的正面，实现全彩显示。