[发明专利]一种自激式电荷泵电路

权利要求书

1.一种自激式电荷泵电路，包括用于提供稳定供电的升压电源电路、用于处理UP输入信号的上拉电路和用于处理DOWN输入信号的下拉电路，其特征在于，所述升压电源电路分别连接上拉电路和下拉电路。

2.根据权利要求1所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述上拉电路包括PMOS管P1和PMOS管P2，所述下拉电路包括NMOS管N1和NMOS管N2；所述PMOS管P1的G极连接UP信号输入端，PMOS管P1的S极分别连接电源Vdd、PMOS管P3的S极、PMOS管P4的S极和PMOS管P5的S极，所述PMOS管P1的D极分别连接PMOS管P2的S极、PMOS管P2的D极、PMOS管P3的D极、PMOS管P3的G极、PMOS管P4的G极、PMOS管P5的D极和NMOS管N5的D极并接地，所述NMOS管N5的S极接地，所述PMOS管P5的G极、所述NMOS管N5的G极和PMOS管P1的G极均连接UP信号输入端，所述PMOS管P4的D极分别连接输出电压Vc、接地电容C和NMOS管N4的D极，NMOS管N4的S极分别连接NMOS管N2的S极、NMOS管N3的S极和NMOS管N6的S极并接地，所述NMOS管N4的G极分别连接NMOS管N3的G极、PMOS管P6的D极、NMOS管N3的D极、NMOS管N1的S极、NMOS管N1的G极、NMOS管N1的D极、NMOS管N2的D极、PMOS管P6的S极、NMOS管N6的D极和电源Vdd，所述NMOS管N2的G极、NMOS管N6的G极和PMOS管P6的G极均连接DOWN信号输入端。

3.根据权利要求1所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述升压电源电路包括电阻R3、电容C2、三极管Q2、二极管D2和电源V1，所述电阻R3分别连接电阻R6和信号源V3，信号源V3另一端接地，电阻R3另一端连接电容C2，电容C2另一端分别连接电阻R2、二极管D2正极和三极管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接二极管D2负极、电阻R2另一端和接地电源V1正极，三极管Q2集电极分别连接电容C3和三极管Q3集电极，三极管Q3发射极接地，三极管Q3基极分别连接接地二极管D5负极、接地电阻R8和电容C4，电容C4另一端连接电阻R6另一端，所述电容C3另一端分别连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D4负极分别连接电容C1和输出端VOUT，电容C1另一端分别连接接地电源V2正极和二极管D3正极。

4.根据权利要求2所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2截止，NMOS管N3导通，电路工作在低压下，NMOS管N1不导通，电容C放电。

5.根据权利要求2所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述DOWN信号为高电平时，NMOS管N2导通，NMOS管N1进入饱和态工作，NMOS管N4中的电流近似为0。

6.根据权利要求3所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述电源V1和电源V2为直流电源。

7.根据权利要求3所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述三极管Q2为PNP型三极管。

8.根据权利要求3所述的自激式电荷泵电路，其特征在于，所述三极管Q3为NPN型三极管。