[发明专利]具有拟接地电位的内存电路

说明书

本发明提供一种具有拟接地电位的内存电路，包含：记忆单元、内存控制电路以及拟接地电压产生电路。内存控制电路包括：位准偏移电路，耦接于可变供应电压，根据第一地址信号而产生驱动信号；以及驱动电路，与拟接地电压产生电路耦接于拟接地节点，以可变供应电压为电源，且根据驱动信号而产生存取信息，用以对记忆单元进行数据存取；其中于高电压操作下，可变供应电压提供第一供应电位，使得存取信息的高位准对应于第一供应电位，且拟接地电压产生电路于拟接地节点提供拟接地电位，其中第一供应电位与拟接地电位的电位差小于驱动电路的耐压。

技术领域

本发明涉及一种内存电路，特别是指一种具有拟接地电位的内存电路。

背景技术

图1显示一种现有技术的内存电路(内存电路1)，内存电路1用以进行一高电压操作或一低电压操作以存取一数据，其中于高电压操作时，可变供应电压Vpp提供高电位，例如但不限于10V，而驱动电路22以可变供应电压Vpp为电源(此时为10V)而产生存取信息(例如但不限于图中所示的字线WL)，其中高电压操作例如可对应于对记忆单元10进行编程(也就是写入数据)。另一方面，于低电压操作时，可变供应电压Vpp提供较低电位，例如但不限于5V，而驱动电路22以可变供应电压Vpp为电源(此时为5V)而产生存取信息WL，其中低电压操作例如可对应于对记忆单元10进行数据读取。

图1中所示的现有技术，其缺点在于，如以低压元件设计驱动电路22，可变供应电压Vpp的高电位将受限于驱动电路22中低压元件的耐压，会造成较长的编程时间，或是较差的数据写入可靠性。反之，若欲提高可变供应电压Vpp的高电位以缩短编程时间或提高可靠性，则需以高压元件设计驱动电路22，如此一来又会提高成本。

本发明相较于图1的现有技术，其优点在于，可使用低压元件设计驱动电路，却又可提高可变供应电压Vpp的高电位，可有效缩短编程时间，提高数据写入可靠性，且不会提高成本。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有技术的不足与缺陷，提出一种具有拟接地电位的内存电路，其可使用低压元件设计驱动电路，却又可提高可变供应电压Vpp的高电位，可有效缩短编程时间，提高数据写入可靠性，且不会提高成本。

为了实现上述发明目的，就其中一个观点言，本发明提供了一种内存电路，用以进行一高电压操作或一低电压操作以存取一数据，该内存电路包含：一记忆单元，用以储存该数据；一内存控制电路，用以控制该记忆单元；以及一拟接地电压产生电路，与该内存控制电路耦接于一拟接地节点；其中该内存控制电路包括：一位准偏移电路，耦接于一可变供应电压，根据一第一地址信号而产生一驱动信号；以及一驱动电路，耦接于该位准偏移电路、该拟接地节点以及该记忆单元，该驱动电路以该可变供应电压为电源，且根据该驱动信号而产生一存取信息，用以对该记忆单元进行该高电压操作或该低电压操作；其中于该高电压操作下，该可变供应电压提供一第一供应电位，使得该存取信息的一高位准对应于该第一供应电位，且该拟接地电压产生电路于该拟接地节点提供一拟接地电位，其中该第一供应电位与该拟接地电位的电位差小于该驱动电路的一耐压；其中于该低电压操作下，该可变供应电压提供一第二供应电位，使得该存取信息的该高位准对应于该第二供应电位，该拟接地电压产生电路将该拟接地节点电连接至一共同接地电位。

在一较佳实施例中，该记忆单元根据该第一供应电位与该共同接地电位的电压差而进行该高电压操作。

在一较佳实施例中，其中该第一供应电位与该共同接地电位的电压差大于该耐压。

在一较佳实施例中，该第二供应电位与该共同接地电位的电位差小于该耐压。

在一较佳实施例中，该内存电路还包含一编程开关，用以于该高电压操作时提供该记忆单元一编程接地电位，以进行该高电压操作。

在一较佳实施例中，该内存电路以该高电压操作而对该记忆单元写入该数据。

在一较佳实施例中，该驱动电路包括一上拉开关，用以根据该驱动信号而导通该可变供应电压以提供该存取信息的该高位准。