[发明专利]一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810594567.4 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110581178A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李运鹏;郭小红;陈智伟;黄传传 | 申请（专利权）人： | 江西萨瑞微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘君 |
| 地址： | 330114 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 突波电压 抑制器 芯片 二极管 负电极金属 电极区域 区域覆盖 单极性 双极性 覆盖 扩散 负电阻特性 崩溃电压 电极金属 电流增益 反面电极 反面整体 功率降低 硅片双面 控制芯片 扩散控制 正面电极 负电阻 高电流 氧化层 正电极 硅片 基底 减薄 金属 制造 | ||
1.一种二极管突波电压抑制器芯片，所述芯片为NPN结构，N型杂质(308)扩散分布于P型基底(302)正、反两面，所述N型杂质(308)的电极区域(316)覆盖有电极金属，其它区域覆盖有氧化层(314)，其特征在于，所述芯片的厚度为170μm-240μm。
2.根据权利要求1所述的二极管突波电压抑制器芯片，其特征在于，二极管突波电压抑制器芯片为双极性，所述正、反面的电极区域(316)均覆盖有负电极金属(318)。
3.根据权利要求1所述的二极管突波电压抑制器芯片，其特征在于，二极管突波电压抑制器芯片为单极性，所述正面的电极区域(316)覆盖有负电极金属(318)，反面整体为电极区域(316)，并覆盖有正电极金属(320)。
4.根据权利要求2或3所述的二极管突波电压抑制器芯片，其特征在于，所述P型基底(302)的掺杂浓度由突波电压的电压值决定，电压值高则掺杂浓度低，电压值低则掺杂浓度高。
5.根据权利要求2或3所述的二极管突波电压抑制器芯片，其特征在于，所述芯片用于金属氧化物半导体场效应晶体管构成的电路保护。
6.一种如权利要求2所述的双极性二极管突波电压抑制器芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将一片硅晶圆作为基底(302)，所述基底(302)为P型；
步骤2：将基底(302)减薄至厚度为150μm-200μm；
步骤3：在基底(302)在正、反表面各热生长一层氧化层(304)；
步骤4：以第一光照照射基底(302)表面，通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案；
步骤5：对步骤4所形成图案区域的氧化层进行蚀刻，形成扩散区域(305)及切割道(306)；
步骤6：在步骤5所形成的扩散区域(305)及切割道(306)中掺杂一层N型杂质(308)，形成N型掺杂层(310)；
步骤7：将N型杂质(308)继续驱入，形成N型杂质(308)与P型基底(302)的PN接面(312)；
步骤8：去除基底(302)上的氧化层(304)；
步骤9：在基底(302)正、反表面各热生长一层氧化层(314)；
步骤10：以第二光罩照射基底(302)表面，通过微影术曝光获得电极区域图案；
步骤11：对步骤10形成的图案区域的氧化层进行蚀刻，形成电极区域(316)；
步骤12：在基底(302)正、反面的电极区域(316)镀上负电极金属(318)；
步骤13：以第三光罩照射基底(302)表面，通过微影蚀刻术形成电极图案；
步骤14：沿切割道(306)将基底(302)切割成单一芯片。
7.一种如权利要求3所述的单极性二极管突波电压抑制器芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将一片硅晶圆作为基底(302)，所述基底(302)为P型；
步骤2：将基底(302)减薄至厚度为150μm-200μm；
步骤3：在基底(302)在正、反表面各热生长一层氧化层(304)；
步骤4：以第一光照照射基底(302)表面，通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案；
步骤5：对步骤4所形成图案区域的氧化层进行蚀刻，形成扩散区域(305)及切割道(306)；
步骤6：在步骤5所形成的扩散区域(305)及切割道(306)中掺杂一层N型杂质(308)，形成N型掺杂层(310)；
步骤7：将N型杂质(308)继续驱入，形成N型杂质(308)与P型基底(302)的PN接面(312)；
步骤8：去除基底(302)上的氧化层(304)；
步骤9：在基底(302)正、反表面各热生长一层氧化层(314)；
步骤10：以第二光罩照射基底(302)表面，通过微影术曝光获得电极区域图案；
步骤11：对步骤10形成的图案区域的氧化层进行蚀刻，形成电极区域(316)；
步骤12：在基底(302)正面的电极区域(316)镀上负电极金属(318)，反面的电极区域(316)镀上正电极金属(320)；
步骤13：以第三光罩照射基底(302)表面，通过微影蚀刻术形成电极图案；
步骤14：沿切割道(306)将基底(302)切割成单一芯片。
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