[发明专利]一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法

权利要求书

1.一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在所述碳化硅基片(1)的表面覆盖一掩膜层(2)，然后对掩膜层(2)进行图形化处理，使得所述碳化硅基片(1)表面的第一待氧化区域裸露，其第二待氧化区域被掩膜层(2)覆盖；

S2：向第一待氧化区域注入所述氧离子和氮离子(3)，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述离子注入层(4)；

S4：进行高温热氧化处理，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述氧化层(5)，且所述离子注入层(4)的所述氧化层(5)厚度大于所述碳化硅基片(1)表面其余区域的所述氧化层(5)厚度。

2.根据权利要求1所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，在所述步骤S2之后、且所述步骤S4之前还包括如下步骤：

S3：所述氧离子和氮离子(3)注入完毕后，去除所述掩膜层(2)。

3.根据权利要求1或2所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，所述氧离子的注入能量为10keV至1MeV，其注入剂量为1×10¹⁴cm^-2至1×10¹⁸cm^-2；所述氮离子的注入能量为10keV至1MeV，其注入剂量为1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

4.根据权利要求1或2所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，所述高温热氧化处理的温度为900℃至2000℃。

5.一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：通过离子注入的方式向碳化硅基片(1)内注入氧离子和氮离子(3)，在碳化硅基片(1)的表面形成一离子注入层(4)；

S2：进行高温热氧化处理，使得离子注入层(4)被氧化，形成一氧化层(5)。

6.根据权利要求5所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，在所述步骤S1之前还包括如下步骤：

S0：在所述碳化硅基片(1)上沉积一层垫层。

7.根据权利要求5所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，在所述步骤S2之后还包括如下步骤：

S3：通过湿法刻蚀或者干法刻蚀将所述氧化层(5)去除。

8.根据权利要求5或6所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，所述氧离子的注入能量为小于或等于100keV，其注入剂量为1×10¹²cm^-2至1×10¹⁸cm^-2，其注入温度为0至1000℃；所述氮离子的注入能量为小于或等于100keV，其注入剂量为1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

9.根据权利要求5或7所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，所述氧离子的注入能量为10keV至1MeV，其注入剂量为1×10¹²cm^-2至1×10¹⁸cm^-2，其注入温度为0至1000℃；所述氮离子的注入能量为10keV至1MeV，其注入剂量为1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

10.根据权利要求5-7中任一项所述的在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，所述高温热氧化处理的温度为900℃至2000℃。