[发明专利]一种制作不同深度隔离沟槽的方法

说明书

本发明提供一种制作不同深度隔离沟槽的方法，在包含第一区域和第二区域的衬底上依次形成衬垫氧化层和掩膜层，其中第二区域待形成的隔离沟槽的孔径大于第一区域待形成的隔离沟槽的孔径，第二区域待形成的隔离沟槽的密度分布小于第一区域待形成的隔离沟槽的密度分布；然后对掩膜层和衬垫氧化层进行刻蚀，至第二区域暴露部分衬底，而第一区域剩余部分厚度的衬垫氧化层；然后采用高刻蚀选择比对暴露出的衬底与衬垫氧化层进行刻蚀，最终在第一区域内形成的隔离沟槽与在第二区域内形成的隔离沟槽具有不同的深度。本发明第一区域与第二区域内的隔离沟槽是同时形成的，从而避免分步骤在第一区域与第二区域内形成隔离沟槽，简化了工艺流程，节省了成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制作不同深度沟槽的集成电路制造方法。

背景技术

随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，而集成的功能则变得越来越多，如果不同功能的器件所需要的一些电性参数差别较大，就需要不同深度隔离沟槽进行器件隔离。

目前，虽然有很多不同的制造工艺流程，但总体来讲就是针对不同深度的沟槽进行分次刻蚀；然而，不同深度、不同图形密集度的刻蚀图形在最终的形貌、深度、宽度等方面会有差异，而且随着集成电路工艺尺寸的降低，这些差异已经变得越来越重要。

为了解决这些差异，集成电路制造工厂普遍采用的是使用不同的刻蚀工艺菜单和刻蚀设备来分开制造，这就大大增加了产能分配难度和生产成本。

发明内容

基于上述问题，本发明提供一种制作不同深度隔离沟槽的方法，包括以下步骤：

步骤一：在包含第一区域和第二区域的一衬底上由下至上依次形成衬垫氧化层和掩膜层，其中，所述第二区域待形成的隔离沟槽的孔径大于所述第一区域待形成的隔离沟槽的孔径，所述第二区域待形成的隔离沟槽的密度分布小于所述第一区域待形成的隔离沟槽的密度分布；

步骤二：进行第一次刻蚀，依次刻蚀所述掩膜层和所述衬垫氧化层，至所述第二区域暴露部分所述衬底，所述第一区域剩余部分厚度的所述衬垫氧化层；

步骤三：进行第二次刻蚀，采用高刻蚀选择比对暴露出的所述衬底与所述衬垫氧化层进行刻蚀，使得所述第二区域内形成的隔离沟槽的深度大于所述第一区域内形成的隔离沟槽的深度。

优选的，步骤三中所述高刻蚀选择比为：10:1。

优选的，步骤二中第一区域剩余部分厚度的所述衬垫氧化层的厚度范围为：

优选的，所述衬垫氧化层的材质为二氧化硅。

优选的，所述衬垫氧化层的厚度范围为：

优选的，所述掩模层的材质为氮化硅。

优选的，所述掩模层的厚度范围为：

优选的，所述第一区域隔离沟槽的孔径范围为：0.08μm-0.15μm。

优选的，所述第二区域隔离沟槽的孔径范围为：0.2μm-0.5μm。

优选的，所述第一次刻蚀与所述第二次刻蚀均为干法刻蚀。