[发明专利]一种嵌氮化铝PCB基板及其制作方法

权利要求书

1.一种嵌氮化铝PCB基板，其特征在于，包括刚性基板，所述刚性基板开设有容置槽，所述容置槽内设置有氮化铝块，所述氮化铝块的顶面和底面沿远离所述氮化铝块的方向顺次设置有导电层和镀铜层。

2.根据权利要求1所述的嵌氮化铝PCB基板，其特征在于，所述导电层为黑孔液层或高分子导电聚合物层，厚度为0.3-0.8μm。

3.根据权利要求2所述的嵌氮化铝PCB基板，其特征在于，所述镀铜层厚度为10-35μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的嵌氮化铝PCB基板，其特征在于，所述氮化铝块顶面与所述刚性基板顶面的高度差不大于20μm，所述氮化铝块与容置槽的侧壁间距为50-100μm。

5.一种制作如权利要求1-4任一项所述的嵌氮化铝PCB基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供氮化铝基板，将氮化铝基板做表面活化处理；

S2、在氧化铝基板表面依次制备导电层、镀铜层；

S3、将步骤S2处理后的氮化铝基板切割为预设尺寸的氮化铝块；

S4、制作刚性基板，首先在内层芯板、半固化片预设位置开容置槽，然后将内层芯板与半固化片按顺序预叠并铆合，得到半成品基板；

S5、将所述氮化铝块自动放置于容置槽内，进行压合，得到嵌氮化铝印制电路板。

6.根据权利5所述的嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4后还包括在所述半成品基板底部贴覆并压合耐高温胶纸的步骤。

7.根据权利要求6所述的嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括切割线制作和激光切割的步骤，首先根据预设切割形状和尺寸在氮化铝基板表面贴覆干膜，经曝光、显影处理后制得切割线，蚀刻去除切割线处的铜后沿所述切割线进行激光切割。

8.根据权利要求7所述的嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于，所述切割线宽度为0.1-0.4mm；所述激光切割的过程中通N₂或He。

9.根据权利要求8所述的嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中表面活化处理具体为：采用H₂、N₂的混合气体或H₂、He的混合气体对氮化铝基板进行等离子活化处理，处理时间为15-30min。

10.根据权利要求9所述的嵌氮化铝PCB基板的制作方法，其特征在于，所述导电层是通过黑孔液或高分子导电聚合物制备于活化后的氮化铝基板表面；所述镀铜层通过电镀工艺制备。