[发明专利]闪烁体阵列

权利要求书

1.一种闪烁体阵列，其特征在于，包括基元载体和多个闪烁体基元，所述多个闪烁体基元呈阵列结构拼接在所述基元载体上；

每个所述闪烁体基元包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子，所述闪烁体基元的材质为由包括陶瓷粉体和所述激活离子的材料烧结而成的陶瓷；

所述基元载体的材质为陶瓷；

所述基元载体上开设有多个呈阵列结构排列的凹坑，每个所述凹坑的大小与每个所述闪烁体基元的大小相匹配，每个所述闪烁体基元在由所述包括所述陶瓷粉体和所述激活离子的材料烧结而成后再被固定在每个所述凹坑中，且每个所述闪烁体基元部分收容于每个所述凹坑中。

2.根据权利要求1所述的闪烁体阵列，其特征在于，所述基质的材质为Lu₂O₃透明陶瓷、Lu₃Al₅O₁₂透明陶瓷、Y₂O₃透明陶瓷、Y₃Al₅O₁₂透明陶瓷、(Gd_xLu_1-x)₃(Al_yGa_1-y)₅O₁₂透明陶瓷、(Y_aLu_bGd_c)₂O₃透明陶瓷、Gd₂O₂S透明陶瓷及(Ca_xMg_1-x)₃(Sc_yLu_1-y)₂Si₃O₁₂透明陶瓷中的一种或几种；

所述激活离子选自Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu²⁺、Dy²⁺、Ho²⁺、Er²⁺、Tm²⁺、Ti²⁺、Cr²⁺及Mn²⁺中的一种；

其中，0x1，0y1；0a1，0b1，0c1，且a+b+c＝1；所述激活离子的摩尔量为所述基质的摩尔量的0.00005％～10％。

3.根据权利要求1所述的闪烁体阵列，其特征在于，所述基元载体的材质为Lu₂O₃透明陶瓷、Lu₃Al₅O₁₂透明陶瓷、Y₂O₃透明陶瓷、Y₃Al₅O₁₂透明陶瓷、(Gd_xLu_1-x)₃(Al_yGa_1-y)₅O₁₂透明陶瓷、(Y_aLu_bGd_c)₂O₃透明陶瓷、Gd₂O₂S透明陶瓷或(Ca_xMg_1-x)₃(Sc_yLu_1-y)₂Si₃O₁₂透明陶瓷；

其中，0x1，0y1；0a1，0b1，0c1，且a+b+c＝1。

4.根据权利要求1所述的闪烁体阵列，其特征在于，每个所述闪烁体基元的横截面积为0.5mm²～1.5mm²，每个所述闪烁体基元的高度为1mm～4mm；

相邻的两个所述闪烁体基元的间距为0.1mm～0.3mm；

所述基元载体的厚度为1mm～4mm。