[发明专利]可挠性电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种可挠性电子装置，包括：

一可挠性基板，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该可挠性基板的该第二表面上包括多个沟渠；

一导线结构，位于该可挠性基板的该第一表面上；以及

一弹性层，填充于该可挠性基板的该些沟渠内，且该弹性层的杨氏模量小于该可挠性基板的杨氏模量，

其中该些沟渠具有一第一延伸方向，该导线结构具有一第二延伸方向，且该第二延伸方向垂直于该第一延伸方向，

其中该可挠性基板具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区，该可弯折区具有与该些沟渠相同的该第一延伸方向，该导线结构自该元件区延伸至该可弯折区。

2.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中相邻的该些沟渠之间的间距大于或等于5微米，该些沟渠的宽度大于或等于2微米。

3.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该些沟渠的深度小于该可挠性基板的厚度。

4.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该导线结构包括相连于多个接点的多个条型导线，且于该可挠性基板的一垂直方向上该些接点与该弹性层不重叠。

5.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该些沟渠具有一第一延伸方向，该导线结构包括一弯曲型导线，且该弯曲型导线沿该第二延伸方向上具有多个反曲点。

6.如权利要求1所述的可挠性电子装置，该可挠性电子装置还包括：

一介电层，位于该导线结构和该可挠性基板之间，该介电层为单层或多层结构；以及

一主动元件，位于该介电层上且与该导线结构电性连接，且该主动元件对应于该可挠性基板的该元件区设置。

7.如权利要求6所述的可挠性电子装置，其中该介电层包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分对应于该可挠性基板的该可弯折区，该第二部分对应于该可挠性基板的该元件区，且该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。

8.如权利要求6所述的可挠性电子装置，其中该可挠性基板更具有一周边区，其中该可弯折区位于该元件区与该周边区之间，该导线结构更自该可弯折区延伸至该周边区，且该可挠性电子装置还包括：

一电极，位于该介电层上且对应于该可挠性基板的该周边区配置，其中该电极与该主动元件通过该导线结构彼此电性连接。

9.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该弹性层的材质包括硅氧树脂，且该弹性层的杨氏模量小于等于5GPa。

10.一种可挠性电子装置的制造方法，包括：

提供一载板；

于该载板上形成一离形层；

于该离形层上形成具有图案化的一弹性层，该弹性层为具有一第一延伸方向且彼此平行的多个细长条状；

于该离形层上形成一可挠性基板，且该可挠性基板包覆该弹性层，且该弹性层的杨氏模量小于该可挠性基板的杨氏模量；

于该可挠性基板上形成一图案化介电层，该图案化介电层具有该第一延伸方向的一凹槽；

于该可挠性基板上形成一导线结构于该凹槽内并跨过该凹槽两端，该导线结构具有一第二延伸方向，且该第一延伸方向不同于该第二延伸方向；以及

分离该载板和该可挠性基板。

11.如权利要求10所述的可挠性电子装置的制造方法，其中该弹性层的材质包括硅氧树脂，且该弹性层的杨氏模量小于5GPa。

12.如权利要求10所述的可挠性电子装置的制造方法，还包括：

在形成该离形层之前，于该载板上形成一图案化光刻胶层，其中：

该离形层共型覆盖于该图案化光刻胶层上；

形成于该离形层上的该弹性层对应于该图案化光刻胶层。

13.如权利要求10所述的可挠性电子装置的制造方法，还包括：

在将该载板与该可挠性基板分离之后，移除该弹性层。