[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201810587096.4 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108807529A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨秋旻;张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道层 赝配高电子迁移率晶体管 外延材料 掺杂层 衬底层 隔离层 电子迁移率 超晶格层 晶格失配 晶体缺陷 半绝缘 势垒层 未掺杂 散射 生长 帽层 掺杂 | ||
1.一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层(1)，在所述衬底层(1)上依次逐层生长GaAs缓冲层(2)、AlGaAs/GaAs超晶格层(3)、未掺杂的AlGaAs层(4)、第一掺杂层(5)、第一AlGaAs隔离层(6)、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层(10)、第二掺杂层(11)、AlGaAs势垒层(12)、掺杂帽层(13)，其特征在于，所述InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层(7)、第二InGaAs沟道层(8)和第三InGaAs沟道层(9)，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分均小于所述第二InGaAs沟道层(8)中的In组分。
2.根据权利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分相同。
3.根据权利要求2所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分均为25％，所述第二InGaAs沟道层(8)中的In组分为35％。
4.根据权利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度均小于所述第二InGaAs沟道层(8)的厚度。
5.根据权利要求4所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度相同。
6.根据权利要求5所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度均为2nm，所述第二InGaAs沟道层(8)的厚度为4nm。
7.根据权利要求1至6中任一所述的外延材料，其特征在于，所述第一掺杂层(5)和所述第二掺杂层(11)均为硅杂质掺杂。
8.一种赝配高电子迁移率晶体管，包括晶体管主体，其特征在于，所述晶体管主体上设有如权利要求1至7中任一所述的外延材料。
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