[发明专利]一种高比表面积改性蒙脱石滤嘴添加剂的合成方法与应用在审
申请号: | 201810586774.5 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108636364A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 王亚明;刘志华;杨晨 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | B01J20/22 | 分类号: | B01J20/22;B01J20/28;B01J20/30;A24D3/06 |
代理公司: | 曲靖科岚专利代理事务所(特殊普通合伙) 53202 | 代理人: | 李继琼;郑兴平 |
地址: | 650031 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤嘴添加剂 改性蒙脱石 蒙脱石 合成 二氧化硅柱 钠基蒙脱石 二氧化硅 可塑性强 扫描电镜 实验测试 物理吸附 吸附效果 焦油 巴豆醛 固定的 晶面层 氰化氢 吸附量 苯酚 层间 改性 烟气 柱撑 应用 卷烟 | ||
1.一种高比表面积改性蒙脱石滤嘴添加剂,其特征在于,用二氧化硅柱撑剂在钠基蒙脱石层间进行柱撑后,固定在蒙脱石001晶面层间,得到含多重二氧化硅固定的改性蒙脱石滤嘴添加剂。
2.一种高比表面积改性蒙脱石滤嘴添加剂的合成方法,其特征在于,合成过程为:
1). 钠基蒙脱石的合成:100g蒙脱石加入1500mL水中,充分溶胀后,加热到85℃并加入5g氢氧化钠和5g硫酸钠反应3h,过滤并洗涤5次,干燥后研磨备用;
2). CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)插层蒙脱石的合成:50g钠基蒙脱石加入5L水中搅拌成悬浊液,加入两倍其阳离子交换容量的CTAB,80℃下反应4h,过滤并洗涤5次,干燥后研磨;
3).取CTAB插层蒙脱石5g,加入20倍物质的量的辛胺,搅拌30min后,再加入150倍物质的量的TEOS(硅酸乙酯),封住瓶口,搅拌10min后,离心分离并洗涤6次,干燥后研磨;
4). 将上述制备的TEOS插层蒙脱石样品放入高温炉中,空气气氛下,550℃高温灼烧5h,取出后研磨,得到最终的含多重二氧化硅固定的改性蒙脱石滤嘴添加剂。
3.根据权利要求1所述的高比表面积改性蒙脱石滤嘴添加剂,其特征在于所述添加剂001晶面中的二氧化硅是纳米级别,并呈现多重柱撑。
4.如权利要求1-3任一项所述的高比表面积改性蒙脱石滤嘴添加剂的应用,其特征在于,将制得的SiO2-C8-M经过普通造粒机造粒,颗粒大小控制在40-60目,并以正常活性炭嘴棒添加方法加入卷烟滤嘴中,加入量为每支卷烟5—15 mg,最终制得的卷烟产品;或将制得的SiO2-C8-M,用干法涂布在卷烟成型纸的内表面,涂布量为0.5—1g/m2,将该成型纸应用于正常滤嘴制造中,并用该滤嘴卷制最终的卷烟产品。
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