[发明专利]L波段微放电抑制星用高功率环行器有效
| 申请号： | 201810585598.3 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108521001B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彭承敏;夏瑞青 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | H01P1/383 | 分类号： | H01P1/383;H01P1/38 |
| 代理公司： | 成都市熠图知识产权代理有限公司 51290 | 代理人： | 杨金涛 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波段 放电 抑制 星用高 功率 环行器 | ||
【权利要求书】：
1.一种L波段微放电抑制星用高功率环行器，包括环行器主体和与所述环行器主体两端连接的连接器，所述环行器主体包括相互连接的上腔体和下腔体，所述上腔体和下腔体内分别设置有上介质和下介质，所述上介质和下介质内侧围合成环行器内部，所述上介质和下介质内侧设置有基片，所述基片上设置有中心导体；所述连接器内设置有连接器内导体和连接器介质，所述中心导体与所述连接器内导体相连，其特征在于：所述连接器介质延伸至所述环行器内部，与所述上介质和下介质交错。
2.根据权利要求1所述的L波段微放电抑制星用高功率环行器，其特征在于：所述上介质和下介质之间的接触面为弯折面。
3.根据权利要求1所述的L波段微放电抑制星用高功率环行器，其特征在于：所述上介质和下介质延伸至所述基片下底面，与所述基片侧边错开。
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