[发明专利]基于超表面的凸面共形卡塞格伦天线有效
| 申请号: | 201810584412.2 | 申请日: | 2018-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN108808249B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
| 发明(设计)人: | 杨锐;高东兴;高鸣;李冬;张澳芳;李佳成 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01Q13/02 | 分类号: | H01Q13/02;H01Q15/00;H01Q15/14;H01Q15/16;H01Q19/19 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 表面 凸面 共形卡塞格伦 天线 | ||
1.一种基于超表面的凸面共形卡塞格伦天线,包括载体(1)、主反射镜(2)、副反射镜(3)、馈源(4)和支撑结构(5),主反射镜(2)与载体(1)共形,馈源(4)采用角锥喇叭天线,支撑结构(5)由四根硬质塑料棍组成,每根塑料棍分别连接主反射面(2)和副反射面(3)的同侧端点;其特征在于:
载体(1)采用凸面结构;主反射镜(2)采用基于广义斯涅尔定律构建的抛物特性相位突变超表面结构;副反射镜(3)采用基于广义斯涅尔定律构建的双曲特性相位突变超表面结构,副反射镜(3)位于主反射镜(2)的焦点下方;
所述副反射镜(3),包括副介质层(31)、副反射层(32)和副相位调控层(33),该副相位调控层(33)由i行j列的二维均匀排布副金属环微结构(331)组成,且每个副金属环微结构的散射参数相位不同,用于实现将馈源(4)发射的电磁波发散为以副反射镜(3)的虚焦点为相位中心的球面波,i≥4,j≥4;
所述主反射镜(2)为凸面结构,包括主介质层(21)、主反射层(22)和主相位调控层(23),该主反射层(22)印制在主介质层(21)的下表面,主相位调控层(23)印制在主介质层(21)的上表面;
所述主相位调控层(23)由m×n个均匀排布的主金属环微结构(231)组成,m≥12,n≥12;
每个主金属环微结构(231)的尺寸由其所在位置的电磁波入射角和散射参数相位决定;以主反射镜(2)上表面中心为坐标原点建立笛卡尔坐标系,x轴沿柱面弯曲方向,y轴沿柱面母线方向,z轴与x轴和y轴垂直;
每个主金属环微结构(231)的所在位置散射参数相位计算如下:
其中dΦ=k(sinθi-sinθr)dr表示Φ(x,y,z)对r的导数,其中θi为入射电磁波相对于主反射镜(2)的入射角,θr为反射电磁波相对于主反射镜(2)的反射角,k为电磁波传播常数,f为主反射镜(2)焦距,Φ0为任意常数相位值;
所有主金属环微结构(231),按中心对称分布,从中心到边缘的相位梯度逐渐变大。
2.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:载体(1)采用的凸面结构为凸状抛物面柱形结构,且沿柱形表面母线的垂直方向从中心到两侧边缘向下弯曲,弯曲程度遵从开口向下的抛物面方程,中心厚度大于边缘厚度。
3.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:主反射镜(2)与载体(1)的共形,为中心镂空结构,且镂空横截面大小与角锥喇叭天线波导部分的截面大小相同,镂空位置安装馈源(4)。
4.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:所述副介质层(31)为正方形,其上表面印制副反射层(32),其下表面印制副相位调控层(33)。
5.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:每个副金属环微结构(331)的相位,其计算如下:
其中,Φ(x,y)表示副金属环微结构(331)的散射参数相位,dΦ=k(sinθi-sinθr)dr表示Φ(x,y)对r的导数,其中θi为入射电磁波相对于副反射镜(3)的入射角,θr为反射电磁波相对于副反射镜(3)的反射角,k为电磁波传播常数,l为馈源(4)的相位中心与副相位调控层(33)之间的距离,Lh为馈源(4)的相位中心与主相位调控层(23)中心之间的距离;l+Lh为副相位调控层(33)与主相位调控层(23)之间的距离,该距离与每个副金属环微结构(331)的z轴坐标值相等,即固定坐标数值z=l+Lh;f为主反射镜(2)的焦距,且满足fl+Lh,Φ0为任意常数相位值;
所有副金属环微结构(331),从中心到边缘的相位梯度逐渐变小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810584412.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





