[发明专利]一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810584321.9 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108962925A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 宁提;吴立明;祁娇娇;王玉龙 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 于金平
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芯片 生长 样品盘 增透膜层 增透膜 镀膜 光照 红外焦平面 快速热传导 热传导效率 导热垫片 读出电路 冷却工件 温度过高 温度积累 芯片封装 性能劣化 胶水 遮挡片 减小 遮挡 背面 保证
【权利要求书】:

1.一种背光照混成芯片增透膜生长方法,其特征在于,包括:

将红外焦平面混成芯片的感光面向上封装于样品盘内,并在所述样品盘背面设置导热垫片,通过所述导热垫片使得所述样品盘与冷却工件盘紧密贴合;

在所述红外焦平面混成芯片上设置遮挡片,所述遮挡片为方形的中空结构,通过所述遮挡片的中空结构将所述红外焦平面混成芯片的红外感光阵列露出,并将所述红外焦平面混成芯片的电路及胶水部分进行遮挡;

进行所述红外焦平面混成芯片背面增透膜层生长。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述样品盘为机加工方式制造,所述样品盘的中间设有铣槽,所述铣槽用于对所述红外焦平面混成芯片进行固定。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,

所述铣槽的槽深、长度和宽度与所述红外焦平面混成芯片的外围尺寸相配合。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,

所述样品盘的材质为铝制。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述遮挡片的材质为钼,所述遮挡片固定在所述样品盘上。

6.一种背光照混成芯片增透膜生长装置,其特征在于,包括:

样品盘,用于封装红外焦平面混成芯片,所述红外焦平面混成芯片的感光面向上;

导热垫片,设置在所述样品盘背面,用于使所述样品盘与冷却工件盘紧密贴合;

遮挡片,设置在所述红外焦平面混成芯片上,所述遮挡片为方形的中空结构,通过所述中空结构将所述红外焦平面混成芯片的红外感光阵列露出,并将所述红外焦平面混成芯片的电路及胶水部分进行遮挡;

控制装置,用于控制所述红外焦平面混成芯片背面增透膜层生长。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,

所述样品盘为机加工方式制造,所述样品盘的中间设有铣槽,所述铣槽用于对所述红外焦平面混成芯片进行固定。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,

所述铣槽的槽深、长度和宽度与所述红外焦平面混成芯片的外围尺寸相配合。

9.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,

所述样品盘的材质为铝制。

10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,

所述遮挡片的材质为钼,所述遮挡片固定在所述样品盘上。

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