[发明专利]圆形横截面的银纳米线的制备方法

说明书

本发明提供了一种圆形横截面的银纳米线的制备方法，属于纳米材料技术领域。该制备方法包括：将五边形横截面的银纳米线、还原糖、氧还原剂和水混合均匀，形成水溶液；以及将水溶液在预设温度下加热预设时间，形成包括圆形横截面的银纳米线的反应产物。本发明实施例通过对五边形横截面的银纳米线、还原糖、氧还原剂和水的混合溶液进行加热，使得不稳定的五边形横截面的银纳米线转化为稳定的圆形横截面的银纳米线，进而降低了基于银纳米线的透明导电膜的雾度，以及避免了基于银纳米线的透明导电膜存在丧失导电性的风险。除此之外，上述原材料容易获取，且上述制备方法容易得到圆形横截面的银纳米线。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，尤其涉及一种圆形横截面的银纳米线的制备方法。

背景技术

目前，基于银纳米线的透明导电膜由于具有优异的电导率、透射率和可弯折性，因此成为最有希望替代各种电子元器件中的氧化铟锡(ITO)薄膜的候选者。但是，目前合成的银纳米线多为五边形横截面的银纳米线，而该五边形横截面的银纳米线不稳定且形成的导电膜雾度较高，在周围环境存在氧气、硫化物或水分等的情况下，可观察到显著的老化，进而存在基于五边形横截面的银纳米线的导电膜丧失导电性的风险。

因此，如何提高合成的银纳米线的稳定性成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种圆形横截面的银纳米线，以解决现有技术中合成的银纳米线不稳定的问题。

本发明一方面提供了一种圆形横截面的银纳米线的制备方法，包括：将五边形横截面的银纳米线、还原糖、氧还原剂和水混合均匀，形成水溶液；以及将水溶液在预设温度下加热预设时间，形成包括圆形横截面的银纳米线的反应产物。

在本发明的一个实施例中，五边形横截面的银纳米线在水溶液中的质量百分比为0.001％到16％之间。

在本发明的一个实施例中，五边形横截面的银纳米线在水溶液中的质量百分比为0.008％到0.032％之间。

在本发明的一个实施例中，五边形横截面的银纳米线的纵横比大于10。

在本发明的一个实施例中，五边形横截面的银纳米线的直径为18nm到100nm之间，五边形横截面的银纳米线的长度为5um到100um之间。

在本发明的一个实施例中，五边形横截面的银纳米线的表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；或，将五边形横截面的银纳米线、还原糖、氧还原剂和水混合均匀包括：将五边形横截面的银纳米线、还原糖、氧还原剂、聚乙烯吡咯烷酮和水混合均匀。

在本发明的一个实施例中，包覆在五边形横截面的银纳米线表面的聚乙烯吡咯烷酮的厚度为1nm到5nm之间。

在本发明的一个实施例中，还原糖包括葡萄糖、果糖、核糖、蔗糖、麦芽糖、乳糖和淀粉中的至少一种。

在本发明的一个实施例中，还原糖在水溶液中的质量百分比为0.1％到35％之间。

在本发明的一个实施例中，还原糖在水溶液中的质量百分比为0.35％到3.5％之间。

在本发明的一个实施例中，氧还原剂包括儿茶酚。

在本发明的一个实施例中，氧还原剂在水溶液中的质量百分比为0.01％到1％之间。

在本发明的一个实施例中，预设温度为120℃到160℃之间。

在本发明的一个实施例中，预设温度为120℃、140℃或160℃。

在本发明的一个实施例中，预设时间为2小时到8小时之间。

在本发明的一个实施例中，预设时间为2小时或4小时。

在本发明的一个实施例中，反应产物在高压釜中生成。