[发明专利]一种激光退火装置和方法有效
申请号: | 201810582217.6 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN108878317B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 王天;赖善春;刘成;王燕锋;崔永鑫 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
本申请公开了一种激光退火装置和方法,该装置包括:腔室、镜片、移动结构以及固定结构,其中:腔室设置有开口;固定结构位于开口的边缘,且固定在腔室上;镜片固定在移动结构上,且位于开口上方;移动结构固定在固定结构上,且移动结构与固定结构的固定位置可调,使得镜片相对于开口的位置可调。在对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火时,如果激光透过镜片的位置处产生痕迹或损坏,那么,可以通过改变移动结构与固定结构的固定位置,改变镜片的位置,使得激光可以透过镜片中没有被破坏的部分,这样,在保证照射至非晶硅膜层上激光的均匀性,进而保证激光退火工艺效果的情况下,可以无需更换镜片,相较于现有技术,可以增加镜片的使用寿命。
技术领域
本申请涉及薄膜晶体管的制备领域,尤其涉及一种激光退火装置和方法。
背景技术
多晶硅薄膜晶体管是液晶显示屏的一个重要部件,通常,在多晶硅薄膜晶体管的制备过程中,首先,可以在玻璃基板上形成非晶硅膜层;其次,使用准分子激光照射玻璃基板,并对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火,使得玻璃基板上的非晶硅膜层在激光的作用下,可以重结晶生成多晶硅;最后,进一步制备得到多晶硅薄膜晶体管。
通常,在对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火时,为了隔绝不良气体(例如氧气)对激光退火的影响,保证激光退火的工艺效果,可以将玻璃基板放置在充满惰性气体或氮气的腔室内,同时,为了保证激光可以照射至玻璃基板的非晶硅膜层上以及腔室的密封性,可以使用设置有镜片的退火窗口对腔室进行密封。这样,在对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火时,可以控制激光照射至退火窗口,并透过该镜片照射至非晶硅膜层上,实现对非晶硅膜层的退火处理。
然而,在实际应用中,在长期使用激光透过镜片时,镜片的表面会由于激光的照射产生痕迹,该痕迹不易擦除,同时,镜片激光透过处的镀膜层也会受到破坏,对镜片造成永久性的损伤。这样,在镜片表面产生痕迹或镜片受损的情况下,激光透过镜片时,将会影响最终照射至非晶硅膜层的激光的均匀性,进而影响激光退火的工艺效果。
在现有技术中,为了不影响激光退火的工艺效果,在镜片表面产生痕迹或镜片受损时,通常选择更换镜片,这样,激光可以透过新的镜片均匀地照射在玻璃基板的非晶硅膜层上,进而保证激光退火的工艺效果。但是,这种方式将会导致镜片的更换频率较高,使用寿命较短。
发明内容
本申请实施例提供一种激光退火装置和方法,用于解决现有技术中,在对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火时,由于退火窗口中的镜片上容易产生痕迹或受损,影响激光退火的工艺效果,因此需要经常更换镜片,导致镜片的使用寿命较短的问题。
本申请实施例提供一种激光退火装置,包括:腔室、镜片、移动结构以及固定结构,其中:
所述腔室设置有开口;
所述固定结构位于所述开口的边缘,且固定在所述腔室上;
所述镜片固定在所述移动结构上,且位于所述开口上方;
所述移动结构固定在所述固定结构上,且所述移动结构与所述固定结构的固定位置可调,使得所述镜片相对于所述开口的位置可调。
优选地,所述移动结构位于所述固定结构内侧,且与所述固定结构之间存在间隙,使得所述移动结构相对于所述固定结构移动。
优选地,所述激光退火装置还包括:锁紧件,其中:
所述移动结构中设置有多个第一固定位置,所述固定结构中设置有一个第二固定位置,所述锁紧件通过其中一个所述第一固定位置与所述第二固定位置,将所述移动结构固定在所述固定结构上。
优选地,所述激光退火装置还包括:旋钮结构,其中:
所述旋钮结构的一端与所述移动结构连接,另一端穿过所述固定结构并延伸至所述固定结构的外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造