[发明专利]上电极系统、等离子体腔室及等离子体产生方法

权利要求书

1.一种上电极系统，包括射频电源、线圈、连接在所述射频电源和所述线圈之间的匹配器，其特征在于，还包括：在所述线圈和地之间并联设置的开关组件和分压电容。

2.根据权利要求1所述的上电极系统，其特征在于，所述开关组件为继电器。

3.根据权利要求2所述的上电极系统，其特征在于，所述继电器为耐高压真空射频继电器。

4.根据权利要求3所述的上电极系统，其特征在于，所述耐高压真空射频继电器断开时的电极间结电容小于0.1pF。

5.根据权利要求1-4任一项所述的上电极系统，其特征在于，所述匹配器为容性元件和/或感性元件组成的L型网络、T型网络、π型网络中的一种。

6.根据权利要求5所述的上电极系统，其特征在于，所述匹配器的容性元件为可调电容，感性元件为可调电感。

7.根据权利要求1所述的上电极系统，其特征在于，所述分压电容为固定电容或者以固定方式使用的可变电容。

8.一种等离子体腔室，其特征在于，包括：

如权利要求1-7中的一项所述的上电极系统、设置在腔室外壁上的观察窗以及设置在所述观察窗外侧的光谱仪。

9.一种等离子体产生方法，利用如权利要求8所述的等离子体腔室产生等离子体，其特征在于，包括：

1)断开所述开关组件，打开所述射频电源加载射频功率；

2)判断所述匹配器的输入阻抗与所述射频电源的输出阻抗是否匹配，如否则报警且终止工艺，如是则进入步骤3)；

3)判断所述等离子腔室中的等离子体是否起辉，如是则继续工艺，如否则进入步骤4)；

4)关闭所述射频电源，将所述开关组件设置为闭合；

5)打开所述射频电源，加载射频功率；

6)判断所述匹配器的输入阻抗与所述射频电源的输出阻抗是否匹配，如否则报警且终止工艺，如是则进入步骤7)；

7)断开所述开关组件，继续工艺。

10.根据权利要求9所述的等离子体产生方法，其特征在于，判断所述等离子腔室中的等离子体是否起辉，具体包括：

利用所述光谱仪透过所述观察窗采集所述等离子腔室中的等离子体产生的光谱，以判断等离子体是否起辉。