[发明专利]集成电路封装件及其形成方法

说明书

提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法。在一些实施例中，形成包括划线、第一IC管芯、第二IC管芯和钝化层的半导体工件。所述划线分离第一和第二IC管芯，并且钝化层覆盖第一和第二IC管芯。第一IC管芯包括电路和电耦合到电路的焊盘结构。焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥。桥在划线内并将第一焊盘连接到第二焊盘。钝化层被图案化以暴露第一焊盘而不暴露第二焊盘，并且通过第一焊盘在电路上实施测试。沿着划线切割半导体工件以使第一和第二IC管芯个体化，并且移除桥。还提供了一种集成电路封装件。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成电路封装件及其形成方法。

背景技术

在集成电路(IC)的批量制造期间，在半导体衬底上形成多个IC管芯。然后将IC管芯分离和封装。一种用于封装IC管芯的工艺是芯片级封装(CSP)工艺。例如，CSP工艺可以是将单个IC管芯封装在IC管芯的管芯面积的约1.0-1.2倍之间的直接表面贴装封装件中的封装工艺。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法，所述方法包括：形成包括划线区域、第一IC管芯和第二IC管芯的半导体工件，其中，所述划线区域分离并邻接所述第一IC管芯和所述第二IC管芯，其中，所述第一IC管芯包括电路和电耦合到所述电路的焊盘结构，其中，所述焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥，并且所述桥在所述划线区域内并且从所述第一焊盘延伸到所述第二焊盘以将所述第一焊盘连接到所述第二焊盘；以及沿着所述划线区域切割所述半导体工件以使所述第一IC管芯和所述第二IC管芯个体化，其中，所述切割移除所述桥以分离所述第一焊盘和所述第二焊盘。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路(IC)封装件，包括：IC管芯，包括电路、第一焊盘、第二焊盘和钝化层，其中，所述钝化层覆盖所述第二焊盘并且限定覆盖所述第一焊盘的开口，所述第一焊盘电浮置并且具有损坏的顶面，其中，所述第二焊盘电耦合到所述电路并且具有没有损坏的顶面，并且所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述钝化层部分地限定所述IC管芯的公共侧壁；以及外部连接件，沿着所述公共侧壁从所述IC管芯的底部延伸到与所述第二焊盘横向接触。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于形成集成电路(IC)封装件的方法，所述方法包括：形成包括划线区域、第一IC管芯和第二IC管芯的半导体工件，其中，所述划线区域分离并邻接所述第一IC管芯和所述第二IC管芯，并且所述第一IC管芯包括电路；在所述第一IC管芯上形成U形焊盘结构，其中，所述U形焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥，其中，所述桥在所述划线区域内并且从所述第一焊盘延伸到所述第二焊盘以连接所述第一焊盘和所述第二焊盘，并且所述第一焊盘通过所述桥和所述第二焊盘电耦合到所述电路；形成覆盖所述半导体工件和所述U形焊盘结构的钝化层；在所述钝化层中实施蚀刻以形成暴露所述第一焊盘的电路探测(CP)开口但没有暴露所述第二焊盘；通过所述电路探测开口使用所述第一焊盘在所述电路上实施第一轮电路探测测试；形成覆盖所述电路和所述钝化层的滤色器的阵列；形成覆盖所述滤色器的阵列的微透镜的阵列；通过所述电路探测开口使用所述第一焊盘在所述电路上实施第二轮电路探测测试；沿着所述划线区域切割所述半导体工件以使所述第一IC管芯和所述第二IC管芯个体化，其中，所述切割移除所述桥以分离所述第一焊盘和所述第二焊盘，并且所述第一焊盘在完成所述切割时电浮置；以及形成沿着所述第一IC管芯的侧壁从与所述第二焊盘的侧壁横向接触延伸到所述第一IC管芯的下侧的外部连接件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A-图1C至图4A-图4C示出了使用受保护的芯片级封装(CSP)焊盘结构来形成集成电路(IC)封装件的方法的一些实施例的一系列示图。

图5示出了图1A-图1C至图4A-图4C的方法的一些实施例的流程图。