[发明专利]一种MoTe2

权利要求书

1.一种离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，包括：

一复合基底，由下层Si层和上层SiO₂层复合组成；

一MoTe₂纳米片，位于SiO₂层表面；

一源极，位于MoTe₂纳米片表面；

一漏极，位于MoTe₂纳米片表面；

一栅极，位于SiO₂层表面；

一离子胶体层，覆盖于MoTe₂纳米片、源极、漏极及栅极；

所述离子胶体层是通过离子胶体旋涂于SiO₂层表面得到的；

所述离子胶体由离子液体与有机聚合物在室温下搅拌混合所得；所述离子液体为高氯酸锂的甲醇溶液，所述有机聚合物为聚环氧乙烷。

2.根据权利要求1所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管显示为N型，具有单极性传输特性，其开关比达到6个数量级，开启电流达微安级别。

3.根据权利要求1或2所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为50~500纳米。

4.根据权利要求3所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为300-310nm。

5.根据权利要求3所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述MoTe₂纳米片的厚度为5-15nm，呈不规则图案，最长边达10-20微米。

6.根据权利要求5所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述MoTe₂纳米片的厚度为10-11nm。

7.根据权利要求1、2、4、6任一项所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述源极、漏极、栅极的材质为金、铬两种；

所述源极、漏极、栅极的层结构为下层铬薄层，上层金薄层；

所述铬薄层厚度为5~20纳米；

所述金薄层厚度为50~100纳米。

8.根据权利要求7所述的离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管，其特征在于，所述铬薄层厚度为8-9纳米；

所述金薄层厚度为60-62纳米。

9.一种权利要求1-8任一项所述离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

（1）通过机械剥离的方法获取MoTe₂纳米片，并将其转移至复合基底中SiO₂层的表面；

（2）通过标准电子束曝光、金属沉积方法在MoTe₂纳米片表面形成源极、漏极；在SiO₂层表面形成栅极；

（3）将离子胶体旋涂于SiO₂层表面，并覆盖MoTe₂纳米片、源极、漏极、栅极，得到离子胶体门控制的场效应晶体管。

10.根据权利要求9所述离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述机械剥离利用胶带反复粘贴MoTe₂块体材料，并通过粘贴次数控制纳米片厚度。

11.根据权利要求10所述离子胶体门控制的MoTe₂场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述胶带为3M透明胶带。