[发明专利]刷洗错误的方法和使用该方法的半导体模块

说明书

一种半导体模块包括控制器和半导体器件。控制器被配置为控制错误刷洗操作和读取操作。半导体器件包括多个存储器芯片，并且多个存储器芯片中的至少一个存储器芯片在多个存储器芯片的读取操作期间执行错误刷洗操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月24日提交的申请号为10-2017-0158288的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及刷洗(scrubbing)错误的方法以及使用该方法的半导体模块。

背景技术

已经采用在每个时钟周期内接收和输出多个数据的设计方案来提高半导体器件的数据传输速度。但是，当数据的传输速度增加时，在数据传输的同时发生错误的概率也增加。出于这个原因，已经提出了各种设计方案来在传输速度增加时提高数据传输的可靠性。

典型地，无论何时在半导体器件中传输数据，都会产生能够检测错误并与数据一起传输的错误码，以保证数据传输的可靠性。错误码通常可以包括能够检测错误的错误检测码(EDC)和能够校正错误的错误校正码(ECC)。但是，需要进一步改进。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体模块，其能够执行错误刷洗操作，以在传输速度增加时提高数据传输的可靠性。半导体模块包括可操作地耦接到半导体器件的控制器。控制器控制错误刷洗操作和读取操作。半导体器件包括多个存储器芯片，并且多个存储器芯片中的至少一个存储器芯片在多个存储器芯片的读取操作期间执行错误刷洗操作。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于半导体模块的刷洗错误的方法。半导体模块可以包括控制器和半导体器件。半导体器件可以是包括一个或更多个存储器芯片的半导体存储器件。半导体模块可以是包括可操作地耦接到半导体存储器件的主机的存储系统的一部分。在一个实施例中，该方法包括：第一步骤，在多个存储器芯片的读取操作期间执行从多个存储器芯片中选中的任意一个存储器芯片的错误刷洗操作；以及第二步骤，执行从多个存储器芯片中排除选中的存储器芯片之后剩余存储器芯片中的至少一个存储器芯片的错误刷洗操作。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种半导体模块，其能够执行错误刷洗操作，以在传输速度增加时提高数据传输的可靠性。半导体模块包括控制器和半导体器件。控制器包括错误刷洗控制电路，且被配置为控制错误刷洗操作和读取操作。半导体器件可操作地耦接到控制器并且包括多个存储器芯片，并且错误刷洗控制电路被配置为控制多个存储器芯片，使得多个存储器芯片中的至少一个存储器芯片在多个存储器芯片的读取操作期间执行错误刷洗操作。

附图说明

鉴于附图和所附详细描述，本公开的各种实施例对于本发明领域的技术人员将变得更加明显，其中：

图1是示出根据本公开实施例的半导体模块的配置的框图；

图2是示出图1所示的半导体模块中包括的错误信息信号发生电路的一个示例性配置的框图；

图3是示出图1所示的半导体模块中包括的错误信息信号发生电路的另一个示例性配置的框图；

图4是示出根据本公开的另一个实施例的半导体模块的配置的框图；

图5是示出图4所示的半导体模块所包括的操作检测信号发生电路的示例性配置的框图；

图6是示出采用图1至图5所示的半导体模块中的至少一个半导体模块的一个电子系统的配置的框图；以及

图7是示出采用图1至图5所示的半导体模块中的至少一个半导体模块的另一个电子系统的配置的框图。

具体实施方式

下文中将参考附图来描述本公开的各种实施例。然而，应注意到，本文中所描述的实施例仅仅是为了说明的目的而提供的，而非意在限制本公开的范围。