[发明专利]扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置

说明书

本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

本申请是申请人提交的申请号为201380067782.4、发明名称为“扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置”的申请的分案申请。母案申请日为2013年12月26日，优先权日为2012年12月26日。

技术领域

本发明的实施方式涉及扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置。

背景技术

近年来，半导体芯片向薄膜化及小型化取得惊人的进展。特别是对内置于像存储卡或灵巧卡片那样的IC卡中的半导体芯片，例如要求75μm以下的厚度、以及10mm×10mm以下的芯片尺寸。认为随着今后IC卡的需求增加，薄膜化及小型化的必要性更进一步提高。

半导体芯片通常通过将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中制成规定的厚度后，在切割工序中将半导体晶片单片化而获得。在切割工序中，通常采用将半导体晶片利用切割刀片切断的刀片切割方式。在刀片切割方式中，有时因切削时产生的切削阻力而在半导体芯片中产生微小的缺损(也称为“崩裂”。)。崩裂的产生不仅会损害半导体芯片的外观，而且根据程度连半导体芯片上的电路图案也有可能发生破损，最近，作为重要的问题之一被抓住不放。就薄膜化及小型化的半导体芯片而言，所允许的崩裂的水平更加严格。今后，预测由于半导体芯片的薄膜化及小型化不断发展，崩裂的问题会变得更加深刻。

作为切割工序中的其他方式，有隐形切割方式。隐形切割方式是特别适合用于将极薄的半导体晶片切断的方式，已知根据隐形切割方式，能够抑制崩裂的产生。隐形切割方式如下进行。

若示出一个例子，在隐形切割方式中，首先，使聚光点对准半导体晶片内部对半导体晶片照射激光，在半导体晶片内部形成由多光子吸收产生的脆弱的改性部。若使激光的照射位置沿着将半导体晶片分割成各个半导体芯片的预定的线(也称为“分割预定线”。)移动，则能够形成沿着分割预定线的改性部(也称为“切割线”。)。接着，在半导体晶片的背面(没有形成电路的一面)粘贴切割带后，将切割带进行拉伸。由此，对半导体晶片给予外部应力，沿着分割预定线将半导体晶片切断，截断成各个半导体芯片，同时半导体芯片的间隔扩大。

将切割带进行拉伸的工序通常称为扩展工序。扩展工序无论切割工序是通过刀片切割方式来进行、或者是通过隐形切割方式来进行，均为一般进行的工序。当切割工序通过刀片切割方式来进行时，使用切割刀片将半导体晶片分割成半导体芯片后，为了扩大半导体芯片的间隔而进行扩展工序。此时的扩展工序的主要目的是使半导体芯片的拾取变得容易。此外，当切割工序通过隐形切割方式来进行时，扩展工序如上所述作为用于将形成有切割线的半导体晶片分割成半导体芯片的工序发挥功能。此外，除此以外，扩展工序还作为用于扩大所分割的半导体芯片的间隔的工序发挥功能。适用于扩展工序的方法及装置例如公开于专利文献1～3等中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-109044号公报

专利文献2：日本特开2005-057158号公报

专利文献3：日本特开2009-253071号公报

发明内容

发明所要解决的课题