[发明专利]一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法

权利要求书

1.一种在柔性塑料衬底上低温电沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法，

其特征在于包括以下步骤：

(1)采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；

(2)将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH₃COO)₂水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；

(3)将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O₂以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加-0.9～-1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述柔性PET/ITO基底采用常规方式清洗即可，分别于丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10min，随用随洗。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述工作电极面积控制为1.5×2.5cm²，电极间距为8mm。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于制备的薄膜为一维ZnO纳米棒阵列。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述的Zn(CH₃COO)₂浓度为0.0005mol/L。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述的水浴温度为75℃。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于所述的氧气流量为15mL/min。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于采用阴极沉积，电极两端施加电位为-1.1V。

9.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于反应时间为40min。