[发明专利]一种量子点及其合成方法

说明书

本发明公开了一种量子点及其合成方法。所述量子点具有核壳结构，其中的核包括CdZnSeS量子点，壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层。所述合成方法包括：提供作为核的CdZnSeS量子点，于所述CdZnSeS量子点上包裹壳层，所述壳层包括依次形成的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层和第二ZnS层。本发明的量子点采用双层CdZnS合金过渡层，可在提高吸光度的同时提升效率并且提高稳定性；并且，合成方法反应条件温和，应用前景广泛。

技术领域

本发明涉及一种量子点的合成方法，特别涉及一种高稳定高效率高吸光度量子点及其合成方法，属于纳米材料制备技术领域。

背景技术

随着科技的飞速发展，量子点运用技术日趋成熟。其中量子点能否成功运用的关键因素是量子点的稳定性。另外，减小量子点的使用量，提升量子点的吸收，减小生产成本也决定着量子点能否大规模运用到我们生活中。作为发光层的量子点其发光效率是决定终端产品性能的又一重要参数。

因此成功合成高效稳定高吸光度的量子点迫在眉睫，也是业界研发人员致力解决的方向。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种高稳定高效率高吸光度量子点及其合成方法，以克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种量子点，它具有核壳结构，其中的核包括CdZnSeS量子点，壳层包括依次包覆所述核的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层以及第二ZnS层。

本发明实施例还提供了一种量子点的合成方法，其包括：

提供作为核的CdZnSeS量子点；

于所述CdZnSeS量子点上包裹壳层，所述壳层包括依次形成的第一CdZnS层、第二CdZnS层、第一ZnS层和第二ZnS层。

在一些优选实施方案之中，所述的合成方法包括：

使包含CdZnSeS量子点、第一镉源、第一锌源和第一硫源的混合反应体系于280～310℃反应10～30min，形成第一CdZnS层；以及

在完成第一CdZnS层的生长后，向所述混合反应体系中加入第二镉源、第二锌源和第二硫源，并于280～310℃反应30min～2h，形成第二CdZnS层。

在一些优选实施方案之中，所述的合成方法包括：

在完成第二CdZnS层的生长后，向混合反应体系中加入第三锌源和第三硫源，并于280～310℃反应30min～1h，生长形成第一ZnS层；以及

在完成第一ZnS层的生长后，向混合反应体系中加入第四锌源和第四硫源，并于200～310℃反应30min～2h，生长形成第二ZnS层。

本发明实施例还提供了由前述方法合成的量子点。

本发明实施例还提供了前述量子点在制备光电装置中的用途。

与现有技术相比，本发明提供的高稳定高效率高吸光度量子点，采用双层CdZnS合金过渡层，可在提高吸光度的同时提升效率并且提高稳定性；同时，本发明的合成方法，反应条件温和，生长第一CdZnS层可起到保护作用将空穴与电子限制在量子点核中，生长第二CdZnS层可减小R-SH捕捉空穴的能力，提高量子点发光效率，另外，本发明采用活泼锌源来继续生长ZnS层，可以明显提高量子点的稳定性，应用前景广泛。

附图说明

图1为本发明一典型实施方案中所获高稳定高效率高吸光度量子点的发射和吸收光谱图。