[发明专利]一种发光元件及发光元件的高能离子辐射方法、抛光方法有效
申请号: | 201810576632.0 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN110563348B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 张红秀;胡飞;李屹 | 申请(专利权)人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
主分类号: | C03C23/00 | 分类号: | C03C23/00;B24B29/02 |
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地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 元件 高能 离子 辐射 方法 抛光 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,所述发光元件由A相原料和Y相原料至少两种原料烧结而成,形成包括A相和Y相至少两个相的复相结构,所述A相的莫氏硬度大于所述Y相的莫氏硬度,所述A相的DPA值大于所述Y相的DPA值,受到多次辐射参数不同的离子辐射造成损伤后A相的莫氏硬度降低至与Y相的莫氏硬度差值不超过0.5。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述发光元件为Y3Al5O12:Ce3+荧光粉和Al2O3颗粒经烧结而成的片状波长转换层,所述A相为Al2O3相,所述Y相为Y3Al5O12:Ce3+相。
3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,所述波长转换层的厚度为350μm-450μm。
4.一种发光元件的高能离子辐射方法,其特征在于,所述发光元件采用如权利要求1-3任意一项所述的发光元件,利用高能离子对所述发光元件进行多次辐射参数不同的辐射,使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤,直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度差值不超过0.5。
5.根据权利要求4所述的发光元件的高能离子辐射方法,其特征在于,所述高能离子为能量70MeV-80MeV的C离子或N离子。
6.根据权利要求5所述的发光元件的高能离子辐射方法,其特征在于,所述C离子辐射的剂量为1×1015ions/cm2,辐射速率为1×1013ions/cm2·s,辐射能量为70MeV。
7.根据权利要求6所述的发光元件的高能离子辐射方法,其特征在于,经过第一次辐射后,每一次辐射的辐射能量以1MeV为公差递增。
8.一种发光元件的抛光方法,其包含如权利要求4~7任意一项所述的高能离子辐射方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:提供具有复相结构的发光元件,将发光元件粘到离子注入机的样品台上,抛光面曝露;
步骤S2:对所述发光元件的抛光面进行高能离子辐射,每一个能量辐射完成后不取出样品,修改辐射参数进行下一次辐射,反复多次直到在预定深度范围内产生均一的损伤;
步骤S3:抛光至所述预定深度范围内得到平坦的表面。
9.根据权利要求8所述的发光元件的抛光方法,其特征在于,所述步骤S1为通过导电胶带或胶粘剂实现发光元件的粘接,粘接面积小于所述发光元件的表面积。
10.根据权利要求8所述的发光元件的抛光方法,其特征在于,在步骤S2后或步骤S3后还包括步骤S4:取出所述发光元件,用丙酮去除导电胶带或粘接剂。
11.根据权利要求8所述的发光元件的抛光方法,其特征在于,步骤S2中的所述预定深度范围为100μm-145μm。
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