[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201810575822.0 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN108598135A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 倪晶;简庆宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯曲应力 缓冲层 弯折区域 制备 表面设置 金属走线 弯曲区域 信号走线 使用寿命 显示面板 有机材料 断裂的 弯折 覆盖 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法,所述OLED显示面板定义有弯折区域,所述弯折区域设置有信号走线;其中,所述弯折区域表面设置有弯曲应力缓冲层,所述弯曲应力缓冲层覆盖所述信号走线;所述弯曲应力缓冲层采用有机材料制备形成。有益效果:本发明通过在弯曲区域表面设置弯曲应力缓冲层,使得弯曲区域内的金属走线处的应力接近于零,降低了金属走线因长期弯折而断裂的风险,进而提高了显示面板的使用寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板,及该OLED显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因其在固态照明和平板显示的方向拥有巨大的发展潜力而得到了学术界和产业界的极大关注。OLED平板可以做的更轻更薄,因而柔性显示技术将是未来的发展趋势。常用的基板衬底多为PI(聚酰亚胺)等柔性衬底,薄膜晶体管在柔性衬底上通过信号的控制,实现对OLED器件的发光调控。
然而,大量传递信号的金属走线会集成至显示面板的下边缘处,在后端模组制程中进行弯折动作折叠并固定到显示面板的背面,这样会带来一个比较严重的风险,即长时间弯折过程中产生的应力作用,使得该区域的金属走线经常出现断裂的情况,从而造成信号失联。
综上所述,现有技术的OLED显示面板,位于弯折区域的金属走线因长时间保持弯折状态,会受应力影响导致断线风险增加,进而减小OLED显示面板的使用寿命。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板,在OLED显示面板的弯折区域设置弯曲应力缓冲层,以减小OLED显示面板弯折时对金属走线产生的应力,以解决现有技术的OLED显示面板,位于弯折区域的金属走线因长时间保持弯折状态,会受应力影响导致断线风险增加,进而减小OLED显示面板的使用寿命的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种OLED显示面板,所述OLED显示面板定义有弯折区域,所述弯折区域表面设置有信号走线;
其中,所述弯折区域表面设置有弯曲应力缓冲层,所述弯曲应力缓冲层覆盖所述信号走线;所述弯曲应力缓冲层采用有机材料制备形成。
根据本发明一优选实施例,所述弯折区域边缘设置有围墙结构,所述弯曲应力缓冲层形成于所述围墙结构内。
根据本发明一优选实施例,所述围墙结构的弹性膜量,大于所述弯曲应力缓冲层的弹性膜量。
根据本发明一优选实施例,所述围墙结构包括外挡墙和内挡墙,所述外挡墙的高度高于所述内挡墙的高度,并且,所述外挡墙与所述内挡墙部分重叠。
根据本发明一优选实施例,所述围墙结构的内侧呈连续爬坡面。
根据本发明一优选实施例,所述弯曲应力缓冲层的边缘贴合所述围墙结构内侧,并且,所述弯曲应力缓冲层的边缘厚度,小于所述外挡墙的高度。
根据本发明一优选实施例,在所述弯曲区域中,位于所述信号走线一侧的所述弯曲应力缓冲层的厚度与弹性膜量之积,约等于位于所述信号走线另一侧的膜层的厚度与弹性膜量之积。
根据本发明一优选实施例,所述弯曲应力缓冲层包括第一有机膜层,以及形成于所述第一有机膜层表面的第二有机膜层,所述第二有机膜层的弹性膜量大于所述第一有机膜层的弹性膜量。
根据本发明一优选实施例,所述第一有机膜层的边缘贴合所述内挡墙侧面,所述第一有机膜层的边缘厚度小于所述内挡墙的高度;所述第二有机膜层的边缘贴合所述外挡墙侧面及所述内挡墙顶面,所述第二有机膜层的边缘厚度小于所述外挡墙的高度。
本发明还提出一种OLED显示面板制备方法,所述方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的