[发明专利]基于六角ErMnO3 有效
| 申请号： | 201810575100.5 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108962897B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 曾敏;陈义;李烨;陆旭兵;高兴森;刘俊明 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L27/11507 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 潘雯瑛 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 六角 ermno base sub | ||
【权利要求书】：
1.基于六角ErMnO3外延薄膜的铁电存储器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：采用激光脉冲沉积法在Al2O3单晶衬底上沉积底电极Pt外延薄膜；沉积过程中，真空度为10-4Pa，生长温度为450℃，激光能量密度为4J/cm2，频率为5Hz，靶间距为5cm；沉积的底电极Pt外延薄膜的厚度为50nm；
S2：采用激光脉冲沉积法在所述底电极Pt外延薄膜上沉积六角ErMnO3外延薄膜，沉积的六角ErMnO3外延薄膜的厚度为150nm，并对沉积的六角ErMnO3外延薄膜进行退火处理；沉积过程中，生长氧压为1Pa，生长温度为850℃，激光能量密度为2J/cm2，频率为5Hz，靶间距为5cm；退火过程中，退火氧压为100Pa，退火温度为600℃，保温时间为30min，降温速率为3℃/min。
2.根据权利要求1所述的基于六角ErMnO3外延薄膜的铁电存储器件的制备方法，其特征在于：还包括步骤S3：采用激光脉冲沉积法结合掩模板在所述六角ErMnO3外延薄膜上沉积顶电极Pt，用于铁电测试；沉积过程中，真空度≤10-4Pa，生长温度为室温。
3.权利要求1或2所述的制备方法制得的基于六角ErMnO3外延薄膜的铁电存储器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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