[发明专利]配置驱动芯片驱动参数的方法和装置有效
申请号: | 201810574078.2 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN110568782B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 任祥喜;王云峰;雷俊;黄庶锋;江德勇;曾露添;刘文华;张帆;邓家华;郑量 | 申请(专利权)人: | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
地址: | 528311 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配置 驱动 芯片 参数 方法 装置 | ||
1.一种配置驱动芯片驱动参数的方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的型号信息;
根据所述IGBT的型号信息,获取待调整的驱动芯片的目标驱动参数;
利用所述目标驱动参数,配置所述驱动芯片;
其中,所述目标驱动参数包括:所述驱动芯片的驱动波形的导通延迟时间以及在所述导通延迟时间内的最低驱动电压;
所述配置所述驱动芯片之后,还包括:
接收输入的第一驱动波形,按照所述目标驱动参数对所述第一驱动波形进行波形转换,得到第二驱动波形,将所述第二驱动波形输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT中驱动所述IGBT工作;其中,所述第二驱动波形中导通脉冲包括在所述导通延迟时间内维持所述第一驱动电压,在剩余导通时间内维持第二驱动电压;其中所述导通延迟时间与所述剩余导通时间组成所述IGBT的导通脉冲的持续时间。
2.根据权利要求1所述的配置驱动芯片驱动参数的方法,其特征在于,所述获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的型号信息,包括:
读取所述IGBT所在家电设备的性能参数;
将所述性能参数与不同型号下IGBT对应的家电设备的性能参数进行比较,确定所述IGBT的型号信息。
3.根据权利要求1所述的配置驱动芯片驱动参数的方法,其特征在于,所述根据所述IGBT的型号信息,获取待调整的驱动芯片的目标驱动参数,包括:
根据所述IGBT的型号信息,确定需要调用的目标配置程序;其中,所述目标配置程序中携带有所述目标驱动参数;
所述利用所述目标驱动参数,配置所述驱动芯片,包括:
通过所述目标配置程序,将所述驱动芯片默认的驱动参数,替换为所述目标驱动参数。
4.根据权利要求1所述的配置驱动芯片驱动参数的方法,其特征在于,所述根据所述IGBT的型号信息,获取待调整的驱动芯片的目标驱动参数,包括:
从预设的存储单元中,根据所述IGBT的型号信息,获取所述目标驱动参数;
所述利用所述目标驱动参数,配置所述驱动芯片,包括:
调用烧录程序,将所述目标驱动参数,写入烧录程序;
执行写入所述目标驱动参数的烧录程序,将所述目标驱动参数,烧录到所述驱动芯片中,以替换默认的驱动参数。
5.根据权利要求1所述的配置驱动芯片驱动参数的方法,其特征在于,所述根据所述IGBT的型号信息,获取待调整的驱动芯片的目标驱动参数,包括:
将所述IGBT的型号信息,发送给微控制单元MCU;
接收所述MCU反馈的所述目标驱动参数;
所述利用所述目标驱动参数,配置所述驱动芯片,包括:
将所述驱动芯片默认的驱动参数,替换为所述目标驱动参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第二驱动波形输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT中驱动所述IGBT工作之后,还包括:
采集所述IGBT的集电极的电压值;
将采集的所述电压值与预设的电压值进行比较,如果所述电压值超出预设的电压值,则对所述IGBT进行保护。
7.一种配置驱动芯片驱动参数的装置,其特征在于,包括:
第一获取模块,用于获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的型号信息;
第二获取模块,用于根据所述IGBT的型号信息,获取待调整的驱动芯片的目标驱动参数;
配置模块,用于利用所述目标驱动参数,配置所述驱动芯片;
其中,所述目标驱动参数包括:所述驱动芯片的驱动波形的导通延迟时间以及在所述导通延迟时间内的最低驱动电压;
所述配置模块配置所述驱动芯片之后,还用于:接收输入的第一驱动波形,按照所述目标驱动参数对所述第一驱动波形进行波形转换,得到第二驱动波形,将所述第二驱动波形输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT中驱动所述IGBT工作;其中,所述第二驱动波形中导通脉冲包括在所述导通延迟时间内维持所述第一驱动电压,在剩余导通时间内维持第二驱动电压;其中所述导通延迟时间与所述剩余导通时间组成所述IGBT的导通脉冲的持续时间。
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