[发明专利]一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法有效
申请号: | 201810569850.1 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108807145B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 辛颢;江晶晶;吴三平;闫伟博;余绍棠 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0392 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 张婷婷 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 高效 铜铟硒 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
1.一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:金属硫脲配合物合成
(1)合成铜硫脲配合物CuTU3Cl
60℃硫脲饱和水溶液中加入铜粉混合,100℃油浴,加入浓盐酸使铜粉溶解,抽滤并用丙酮清洗,重结晶,60℃干燥;
(2)合成铟硫脲配合物InTU3Cl3或镓硫脲配合物GaTU6Cl3
室温下硫脲饱和水溶液中加入InCl3·4H2O或GaCl3混合,搅拌,加热蒸发,室温静置,析出固体,重结晶,60℃干燥;
步骤二:前驱体溶液配制
将所述CuTU3Cl与InTU3Cl3或InTU3Cl3/GaTU6Cl3混合物溶解于DMF溶剂中,生成前驱体溶液;
步骤三:铜铟硫、铜铟镓硫薄膜的制备
将所述前驱体溶液旋涂在钼玻璃上并经过加热处理生成CIS或CIGS薄膜;
步骤四:铜铟硒、铜铟镓硒薄膜的制备
将所述CIS或者CIGS薄膜通过在Se的气氛中加热,生成CISSe或CIGSSe薄膜;
步骤五:铜铟硒、铜铟镓硒太阳能电池器件组装
在硒化后的吸收层上沉积CdS缓冲层,射频溅射窗口层,最后热蒸镀Ni/Al顶电极。
2.根据权利要求1所述的制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:步骤一中,所述合成铜硫脲配合物CuTU3Cl的具体方法为:
称取硫脲加入到60℃热水中使硫脲溶解饱和,再加入铜粉混合,使硫脲和铜的摩尔比为4:1;100℃油浴,加入浓盐酸使铜粉溶解,持续油浴和搅拌,并补充超纯水直到溶液变得澄清透明;抽滤,滤液静置冷却,析出白色细长柱状固体,抽滤并用丙酮清洗,并进行重结晶,最后烘箱60℃干燥。
3.根据权利要求1所述的制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:步骤一中,所述合成铟硫脲配合物InTU3Cl3的具体方法为:
室温下,称取硫脲加入超纯水中使硫脲溶解饱和,再加入InCl3·4H2O,使硫脲与铟的摩尔比为3:1~4:1,搅拌直至溶液澄清透明;80℃加热溶液,蒸发掉3/5~4/5的水,停止加热,室温静置,析出固体,并进行重结晶,最后烘箱60℃干燥。
4.根据权利要求1所述的制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:步骤一中,所述合成镓硫脲配合物GaTU6Cl3的具体方法为:
室温下,称取硫脲加入超纯水中使硫脲溶解饱和,再加入GaCl3,使硫脲和镓的摩尔比为3:1~4:1,搅拌直至溶液澄清透明;60℃加热溶液蒸发,直到有固体析出,停止加热,室温静置,析出固体,并进行重结晶,最后烘箱60℃干燥。
5.根据权利要求1所述的制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:步骤二中,所述CuTU3Cl与InTU3Cl3或InTU3Cl3/GaTU6Cl3混合物按Cu、In、Ga的摩尔比Cu/In=0.6-1.2或者Cu/(In+Ga)=0.6-1.2,Ga/(In+Ga)=0-0.5溶解到DMF溶剂中;InTU3Cl3在DMF中的摩尔浓度0.2-1.0摩尔/升。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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