[发明专利]存储器的读取电路

说明书

本发明实施例公开了一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；n个所述参考单元组串联连接；m个所述参考单元并联连接。本发明实施例提供的技术方案，将读取电路中的参考电路设置成参考单元的串并联电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。

技术领域

本发明实施例涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器的读取电路。

背景技术

对存储器的常规操作包括读、写和擦除操作。其中对于存储器的读操作需要通过读取电路完成。

通过对读取电路中的数据存储单元和参考单元的电流或者电压信号进行比对，可以得出存储器中数据存储单元的存储状态。

存储器的读取电路中的参考电路的参考单元的电阻服从正太分布，目前存储器的读取电路中的参考电路的参考单元的电阻的分布偏差较大，导致读取结果较慢且不是很准确。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储器的读取电路，大大减小了参考单元的电阻的分布偏差，提高了读出裕量，可以快速且准确对数据存储单元的数据存储状态进行读取。

本发明实施例提供了一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，包括：

所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；

每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；

n个所述参考单元组串联连接；

m个所述参考单元并联连接。

可选的，所述数据存储单元包括阻变存储单元。

可选的，所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的高阻态阻值；或者，

所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的低阻态阻值。

可选的，所述参考电路还包括多个间隔排列的第一电极和多个间隔排列的第二电极，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第二电极包括第三子电极和第四子电极，相邻两个所述第一电极中，前一个所述第一电极的第二子电极和后一个所述第一电极中的第一子电极与一个所述第二电极相对设置，相邻两个所述第二电极中，前一个所述第二电极的第四子电极和后一个所述第二电极中的第三子电极与一个所述第一电极相对设置；

其中，所述第二子电极与所述第三子电极相对设置，所述第一子电极与所述第四子电极相对设置；

同一个所述参考单元组的参考单元的第一端与同一个所述第一电极电连接，且一个所述参考单元组的参考单元的第二端与同一个所述第二电极电连接；

第奇数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第二子电极电连接，第奇数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第三子电极电连接；

第偶数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第一子电极电连接，第偶数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第四子电极电连接；

当n为偶数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第一电极接地；

当n为奇数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第二电极接地。

可选的，每个参考单元所需的物理宽度为单位宽度，n与m的乘积个参考单元所需的物理宽度等于n与m的乘积个单位宽度之和，n与m的乘积个参考单元所需的物理宽度等于位线的长度。