[发明专利]一种励磁系统小电流试验异常判别方法

权利要求书

1.一种励磁系统小电流试验异常判别方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、采集整流器交流侧三相输入电流I_A、I_B`、I_C与整流器直流侧负载电流I_R；

B、通过公式：I_AV＝(I_A+I_B+I_C)/3，计算得到交流平均电流I_AV；

通过公式：

计算得到差动电流I_D；

通过公式：

计算得到直流平均电流I_F；

C、当|I_F-I_R|0.6I_R时，判断励磁系统小电流试验异常；

当|I_F-1.2I_AV|0.6I_R时，判断励磁系统小电流试验异常；

当I_D0.6I_R时，判断励磁系统小电流试验异常；

D、当步骤C判断励磁系统小电流试验未发现异常时，利用整流器各桥臂温度作为励磁小电流试验的辅助判据，进一步判定励磁系统小电流试验异常情况；

具体方法为：首先通过整流器上的温控测点采集整流器中六个晶体管的温度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆；再通过公式T_AV＝(T₁+T₂+T₃+T₄+T₅+T₆)/6，计算得到六个晶体管的平均温度T_AV；同时监测筛选出六个晶体管温度中的温度最高值T_MAX和温度最低值T_MIN；

当T_MIN≥0.8T_AV且T_MAX≤1.2T_AV时，判断励磁系统小电流试验正常；

当T_MIN＜0.8T_AV或T_MAX1.2T_AV时，判断励磁系统小电流试验异常。

2.根据权利要求1所述的励磁系统小电流试验异常判别方法，其特征在于，所述的整流器包括晶体管V₁、V₂、V₃、V₄、V₅、V₆，电容C和电阻R，晶体管V₁的发射极接晶体管V₂的集电极，晶体管V₁的集电极分别接电阻R的一端、电容C的一端、晶体管V₃的集电极和晶体管V₅的集电极，晶体管V₂的发射极分别接电阻R的另一端、电容C的另一端、晶体管V₄的发射极和晶体管V₆的发射极，晶体管V₃的发射极接晶体管V₄的集电极，晶体管V₅的发射极接晶体管V₆的集电极，构成整流桥。

3.根据权利要求1所述的励磁系统小电流试验异常判别方法，其特征在于，所述的晶体管为绝缘栅双极型晶体管。