[发明专利]包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其制造方法和包括其的显示设备有效
| 申请号： | 201810567992.4 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109148592B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李禧成;金圣起;金敏澈;金昇鎭;朴志皓;任曙延 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制造 方法 显示 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)，其中
所述氧化物半导体层中的铟(In)的含量是镓(Ga)的含量的1.5至5倍，
所述氧化物半导体层中的锡(Sn)与铟(In)的含量比(Sn/In)是0.1至0.25，并且
所述氧化物半导体层具有C轴取向结晶度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中
所述氧化物半导体层具有顺序堆叠的第一层和第二层，并且
所述第二层的氧(O)含量大于所述第一层的氧(O)含量。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中铟(In)的含量实质上等于锌(Zn)的含量。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体层具有20nm或更大的厚度。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体层具有18cm2/V·s或更大的迁移率。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体层具有5×1017EA/cm3或更大的载流子浓度。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体层具有6.5g/cm3或更大的堆积密度。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述氧化物半导体层具有2.0×1017spins/cm3或更小的自旋密度。
9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，进一步包括栅极电极，
其中所述第一层设置为比所述第二层更靠近所述栅极电极。
10.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和锡(Sn)每一者基于铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和锡(Sn)的总量的含量比在所述第一层和所述第二层中实质相同。
11.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第二层的厚度等于所述氧化物半导体层的厚度的5％至20％。
12.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，进一步包括连接至所述氧化物半导体层的源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极设置为彼此间隔开，
其中所述第二层的不与所述源极电极和所述漏极电极重叠的区域的厚度大于所述第二层的与所述源极电极或所述漏极电极的至少一个重叠的区域的厚度。
13.一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：
在基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)；其中
所述氧化物半导体层中的铟(In)的含量是镓(Ga)的含量的1.5至5倍，
所述氧化物半导体层中的锡(Sn)与铟(In)的含量比(Sn/In)是0.1至0.25，并且
所述氧化物半导体层具有C轴取向结晶度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中
所述氧化物半导体层通过沉积形成，并且
所述沉积在150℃或更高的温度下进行。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述氧化物半导体层具有20nm或更大的厚度。
16.根据权利要求13所述的方法，进一步包括等离子体处理所述氧化物半导体层。
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