[发明专利]一种介质波导滤波器

说明书

本发明公开了一种介质波导滤波器，包括：两两相接地构成上层谐振腔的多个第一谐振腔和两两相接地构成下层谐振腔的多个第二谐振腔，上层谐振腔与下层谐振腔对应重叠设置；每个第一谐振腔具有第一窗口耦合结构，第一窗口耦合结构包括：开设于该第一谐振腔中高次模磁场分布最弱处的第一窗口，和/或开设于该第一谐振腔中高次模电场分布最强处的第二窗口；每个第二谐振腔具有与第一窗口耦合结构对应的第二窗口耦合结构，所述第一窗口耦合结构和第二窗口耦合结构配合以消除介质波导滤波器的高次模。本发明提出一种介质波导滤波器其通过提供降低高次模之间耦合的窗口耦合结构，增加介质波导滤波器的远端谐波抑制，提高抑制频率范围。

技术领域

本发明涉及滤波器领域，特别涉及一种介质波导滤波器。

背景技术

随着无线移动通信技术的飞速发展，对于介质波导滤波器的远端带外性能的要求越来越高，而现有的介质波导滤波器中不可避免地在高次模频段内的抑制度变差，谐波近的问题，通常情况下为1.3倍频。为了解决这一问题，通常需要使用多阶低通滤波器来抑制远端带外出现的高次模，额外的低通滤波器增加了面积和插损。

为了进一步改善远端抑制，还可能采用介质波导滤波器和金属腔级联的方式。金属腔的远端谐波较好，将金属腔和介质波导滤波器进行级联能够改善远端抑制，但是金属腔占用的体积较大，这种级联的方式难以实现与介质波导滤波器一样的体积。

另外，还可以采用TEM(Transverse Electric and Magnetic Field，电磁场)模式改善远端抑制，TEM模式的谐波比介质波导远，但是其Q值低于介质波导，性能差与介质波导。

发明内容

本发明旨在提出一种介质波导滤波器，其通过提供针对高次模的耦合结构增加介质波导滤波器的远端谐波抑制，提高高次模频段抑制。

为实现上述目的，本发明提出一种介质波导滤波器，包括：

多个第一谐振腔和多个第二谐振腔，所述多个第一谐振腔两两相接地构成上层谐振腔，所述多个第二谐振腔两两相接地构成下层谐振腔，所述上层谐振腔与下层谐振腔对应重叠设置；

第一谐振腔具有第一窗口耦合结构，所述第一窗口耦合结构包括：在该第一谐振腔的表面开设于该第一谐振腔中的第一高次模的磁场分布最弱处的第一窗口，和/或在该第一谐振腔的表面开设于该第一谐振腔中的第一高次模的电场分布最强处的第二窗口；

第二谐振腔具有与所述第一窗口耦合结构对应的第二窗口耦合结构，所述第二窗口耦合结构包括：在该第二谐振腔的表面开设于该第二谐振腔中的第一高次模的磁场分布最弱处的第三窗口，和/或在该第二谐振腔的表面开设于该第二谐振腔中的第一高次模的电场分布最强处的第四窗口，

所述第一窗口耦合结构和第二窗口耦合结构配合以消除所述第一谐振腔中的第一高次模与所述第二谐振腔中的第一高次模之间的耦合。

优选地，所述第一窗口、第二窗口位于所述第一谐振腔的与所述第二谐振腔相对的一侧表面上，

所述第三窗口、第四窗口位于所述第二谐振腔的与所述第一谐振腔相对的一侧表面上。

优选地，所述第一窗口位于所述第一谐振腔的一对相对侧边的中心，所述第三窗口位于所述第二谐振腔的一对相对侧边的中心；

所述第二窗口与所述第一谐振腔的中心平齐，并与所述第一谐振腔的中心相距1/4侧边长度，所述第四窗口与所述第二谐振腔的中心平齐，并与所述第二谐振腔的中心相距1/4侧边长度。

优选地，进一步包括用于降低第二高次模的激励的馈电结构，所述馈电结构包括：

突出部，所述突出部自一个第一谐振腔或者第二谐振腔的一侧边缘向腔体外部突出；和

馈电柱，所述馈电柱设置在所述第一谐振腔或者第二谐振腔与突出部的连接处。